[发明专利]半导体器件中不同种导电层的抛光方法无效
| 申请号： | 98105672.5 | 申请日： | 1998-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN1144268C | 公开（公告）日： | 2004-03-31 |
| 发明（设计）人： | 拉吉夫·巴加伊;加诺斯·法卡斯;金城哲;加伊米·萨拉维亚 | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/321;B24B1/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种抛光半导体器件上沉积的两种互异导电材料的工艺，可独立抛光每个导电材料，用同一抛光设备提高生产效率。用两种不同的抛光液配方对半导体器件衬底(250)的钨层(258)和钛层(256)进行抛光。两种抛光液从二个不同的源容器(111和112)依次送到同一抛光磨盘(132)。注入第一种抛光液直到钨去除，再转换注入第二种抛光液去除钛。在最佳实施例中，第一种抛光浆为硝酸铁抛光液，第二种为草酸抛光液。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 同种 导电 抛光 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，用于在半导体衬底上形成半导体器件，该衬底包括：半导体材料；和图形化的绝缘层，覆盖在半导体材料上，其中图形化绝缘层包括：通孔；包括覆盖在图形化绝缘层之上及通孔内的第一材料的第一导电层；在第一导电层上覆盖的含有与第一材料不同的第二材料的第二层导电层；其特征在于包括以下步骤：在抛光第一和第二导电层前将衬底放入抛光机中；使用含有第一种氧化成分且具有pH值小于2的第一种抛光流体对第二导电层抛光用以暴露一部分第一层导电层；使用含有与第一种氧化成分不同的第二种氧化成分的第二种抛光流体对第一导电层抛光用以暴露一部分已被图形化的绝缘层；抛光第一导电层时，引入第二抛光流体而不引入第一抛光流体；抛光第二导电层时，引入第一抛光流体而不引入第二抛光流体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
