[发明专利]干燥处理方法及其装置无效
| 申请号： | 98102499.8 | 申请日： | 1998-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN1138117C | 公开（公告）日： | 2004-02-11 |
| 发明（设计）人： | 小美野光明;内泽修 | 申请（专利权）人： | 东京电子株式会社 |
| 主分类号： | F26B3/06 | 分类号： | F26B3/06;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 钟守期 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的干燥处理装置向用于容纳半导体晶片的处理室内供给干燥气体，以干燥半导体晶片，该干燥处理装置设有加热载运气体的加热器32、利用由加热器32加热的N2气体来使IPA变成雾状并生成经过加热的IPA气体的蒸气发生器34、向处理室35内供给预定量的N2的流量控制装置。本发明可提高载运气体加热装置的传热效率，增大干燥气体的生成量并缩短蒸气的生成时间，并且可防止在干燥处理完成后处理室内的气氛发生混乱。 | ||
| 搜索关键词： | 干燥 处理 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
1.一种向容纳被处理体的处理室内供给干燥气体，以对被处理体进行干燥处理的干燥处理方法，其特征在于包括如下步骤：加热载运气体的步骤；利用加热的所述载运气体使干燥气体用的液体变成雾状，同时加热生成所述干燥气体的步骤；和控制供给所述处理室的所述干燥气体流量的步骤。
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