[发明专利]采用连续化学处理制造电子元件的湿处理方法

摘要

本发明涉及电子元件前体制造的湿处理方法，如集成电路中的半导体晶片。更为具体地说，本发明涉及采用连续化学处理技术来对电子元件前体进行诸如预扩散清洗，脱膜和蚀刻等处理的方法。

主权项

1.一种湿处理半导体晶体的方法，包括：a)将半导体晶片置于液体置换反应室内；b)向反应室提供一定量的第一活性处理液，其中该第一活性处理液包括至少一种第一化学品，并且在第一活性处理液中第一化学品浓度大于100ppm，其选自：氢氯酸和含有氢氯酸的缓冲剂，氢氧化铵和含有氢氧化铵的缓冲剂，过氧化氢，硫酸和含有硫酸的缓冲剂，硫酸和臭氧的混合物，氢氟酸和含有氢氟酸的缓冲剂，铬酸和含有铬酸的缓冲剂，磷酸和含有磷酸的缓冲剂，乙酸和含有乙酸的缓冲剂，硝酸和含有硝酸的缓冲剂，以及它们的组合；c)使所说的半导体晶片的表面与第一活性处理液在选定的时间内接触，而不用将半导体晶片从反应室中移出；d)通过向反应室供入第二活性处理液来直接置换该一定量的第一活性处理液，其中所述第二活性处理液含有至少一种第二化学品，其中在第二活性处理液中第二化学品的浓度大于100ppm，其选自：氢氯酸和含有氢氯酸的缓冲剂，氢氧化铵和含有氢氧化铵的缓冲剂，过氧化氢，硫酸和含有硫酸的缓冲剂，硫酸和臭氧的混合物，氢氟酸和含有氢氟酸的缓冲剂，铬酸和含有铬酸的缓冲剂，磷酸和含有磷酸的缓冲剂，乙酸和含有乙酸的缓冲剂，硝酸和含有硝酸的缓冲剂，以及它们的组合，并且其中第一活性处理液中的至少一种化学品不存在于第二活性处理液中；以及e)使所述半导体晶片的表面与第二活性处理液在第二选定时间内接触而不用将半导体晶片从反应室中移出，其中第二活性处理液依次紧接着第一活性处理液，并在半导体晶体与第一活性处理液和第二活性处理液接触的期间不采取漂洗液进行任何中间接触。