[发明专利]采用连续化学处理制造电子元件的湿处理方法

权利要求书

1.一种湿处理半导体晶体的方法，包括：

a)将半导体晶片置于液体置换反应室内；

b)向反应室提供一定量的第一活性处理液，其中该第一活性处理液包括至少一种第一化学品，并且在第一活性处理液中第一化学品浓度大于100ppm，其选自：氢氯酸和含有氢氯酸的缓冲剂，氢氧化铵和含有氢氧化铵的缓冲剂，过氧化氢，硫酸和含有硫酸的缓冲剂，硫酸和臭氧的混合物，氢氟酸和含有氢氟酸的缓冲剂，铬酸和含有铬酸的缓冲剂，磷酸和含有磷酸的缓冲剂，乙酸和含有乙酸的缓冲剂，硝酸和含有硝酸的缓冲剂，以及它们的组合；

c)使所说的半导体晶片的表面与第一活性处理液在选定的时间内接触，而不用将半导体晶片从反应室中移出；

d)通过向反应室供入第二活性处理液来直接置换该一定量的第一活性处理液，其中所述第二活性处理液含有至少一种第二化学品，其中在第二活性处理液中第二化学品的浓度大于100ppm，其选自：氢氯酸和含有氢氯酸的缓冲剂，氢氧化铵和含有氢氧化铵的缓冲剂，过氧化氢，硫酸和含有硫酸的缓冲剂，硫酸和臭氧的混合物，氢氟酸和含有氢氟酸的缓冲剂，铬酸和含有铬酸的缓冲剂，磷酸和含有磷酸的缓冲剂，乙酸和含有乙酸的缓冲剂，硝酸和含有硝酸的缓冲剂，以及它们的组合，并且其中第一活性处理液中的至少一种化学品不存在于第二活性处理液中；以及

e)使所述半导体晶片的表面与第二活性处理液在第二选定时间内接触而不用将半导体晶片从反应室中移出，其中第二活性处理液依次紧接着第一活性处理液，并在半导体晶体与第一活性处理液和第二活性处理液接触的期间不采取漂洗液进行任何中间接触。

2.权利要求1的方法，其中所说的反应室为全流动容器。

3.权利要求1的方法，进一步包括步骤对所说的半导体晶体进行干燥，而不用将半导体晶片从反应室中移出。

4.权利要求1的方法，其中，第一活性处理液不含氢氟酸。

5.权利要求4的方法，其中，所说的第一活性处理液为含有第一化学品的水溶液，所述化学品选自：氢氯酸，氢氧化铵，过氧化氢，硫酸，硫酸和臭氧的混合物，硫酸和过氧化氢的混合物，过氧化氢和氢氧化铵的混合物，以及过氧化氢与氢氯酸的混合物；以及所述第二活性处理液为含有第二化学品的水溶液，所述化学品选自：氢氯酸，氢氧化铵，过氧化氢，硫酸，氢氟酸，缓冲的氢氟酸，硫酸和臭氧的混合物，过氧化氢与氢氧化铵的混合物，以及过氧化氢与氢氯酸的混合物。

6.权利要求5的方法，其中，所述第一化学品选自：过氧化氢和氢氧化铵的混合物，硫酸，硫酸和臭氧的混合物，硫酸和过氧化氢的混合物；以及第二化学品选自：氢氯酸，氢氟酸，缓冲的氢氟酸，以及过氧化氢与氢氯酸的混合物。

7.权利要求6的方法，其中，所述第一化学品选自：氢氧化铵和过氧化氢；以及所述第二化学品选自：氢氟酸，缓冲的氢氟酸，以及过氧化氢与氢氯酸的混合物。

8.权利要求5的方法，其中，所述第一化学品选自：氢氯酸以及过氧化氢与氢氯酸的混合物；以及所述第二化学品选自：氢氟酸，缓冲的氢氟酸，以及过氧化氢与氢氧化铵的混合物。

9.权利要求1的方法，其中，所说的第一活性处理液为含有第一化学品的水溶液，所述化学品选自：氢氟酸，缓冲的氢氟酸及其结合；以及所述第二活性处理液为含有第二化学品的水溶液，所述化学品选自：氢氯酸，以及过氧化氢与氢氯酸的混合物。

10.权利要求1的方法，其包括步骤，加入活性处理液重复步骤d)。

11.权利要求1的方法，其进一步包括步骤，在半导体晶片与第一活性处理液接触之前，或在半导体晶片与第二活性处理液接触之后，使半导体晶片与漂洗液接触。