[发明专利]核径迹防伪膜的制造方法有效

专利信息
申请号: 97120352.0 申请日: 1997-12-12
公开(公告)号: CN1067786C 公开(公告)日: 2001-06-27
发明(设计)人: 严玉顺;何向明;张泉荣;万春荣;姜长印;王守忠 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: G09F3/00 分类号: G09F3/00
代理公司: 清华大学专利事务所 代理人: 罗文群
地址: 10008*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种核径迹防伪膜的制造方法,包括下列各步骤选用透明塑料薄膜为原料,用反应堆产生的中子轰击铀-235产生的裂变碎片幅照塑料薄膜,再利用紫外线通过成像底片或模板对辐照后的塑料薄膜成像,最后用化学试剂对塑料薄膜进行选择性部分蚀刻,或利用印刷机把抗蚀刻的物质按图案要求印刷在塑料薄膜上,再用化学试剂对塑料薄膜进行选择性蚀刻,即为本发明的产品。本发明具有设备简单、易于实现规模生产,成品率高等优点。
搜索关键词: 径迹 防伪 制造 方法
【主权项】:
1、一种核径迹防伪膜的制造方法,包括下列步骤:(1)、选用厚度为5-25μm的透明塑料薄膜为原材料,利用核反应堆产生的中子轰击铀-235放出的裂变碎片辐照塑料薄膜,反应堆功率为1-5000千瓦,辐照时间为0.1-300秒,或利用高能离子加速器产生的重离子来辐照塑料薄膜,辐照时间为0.5-200秒;(2)、利用紫外线通过成象底片或模板对辐照后的塑料薄膜成象,紫外线灯功率为500-2000瓦,灯与薄膜的距离为0.1-50cm,成象时间为10秒-180分钟;(3)、用化学试剂对上述成象后的塑料薄膜进行选择性部分蚀刻,即被紫外线照射的地方被蚀刻出微孔,形成乳白色图案,蚀刻剂为NaOH、KOH或H2SO4溶液,蚀刻时间为1-180分钟,蚀刻出清晰的图案后,洗涤晾干。
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