[发明专利]电子磁致电阻传感器偏磁电路无效
| 申请号： | 97117625.6 | 申请日： | 1997-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN1160706C | 公开（公告）日： | 2004-08-04 |
| 发明（设计）人： | K·B·克拉森;J·范佩彭 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11B5/03 | 分类号： | G11B5/03 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴增勇;张志醒 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种磁致电阻传感器偏磁技术，它对一种产品提供一致的传感器偏磁。这种技术提供传感器恒定功率耗散偏磁、恒定传感器电流密度偏磁、恒定传感器偏磁电压、恒定传感器温升偏磁和传感器的恒定有效磁偏置。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 致电 传感器 磁电 | ||
【主权项】：
1.一种为磁致电阻(MR)传感器产生偏磁电流IB和偏磁电压VH 的电路，其特征在于该电路包括：具有第一和第二输入端的乘法器，第一输入端接收与偏磁电流IB 成正比的第一信号，而第二输入端接收与偏磁电压VH成正比的第二信号，此乘法器产生正比于第一和第二信号的积的积信号；比较器，它把积信号与参考信号进行比较，产生控制信号，此参考信号正比于预先确定的、耗散在MR传感器上的偏磁功率PB；和控制器，它对控制信号作出响应，从而控制偏磁电流IB和偏磁电压VH中的一个，并且产生预先确定的、耗散在MR传感器上的偏磁功率PB。
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