[发明专利]双极型晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 97110996.6 | 申请日： | 1997-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN1110859C | 公开（公告）日： | 2003-06-04 |
| 发明（设计）人： | 曹汉亚(音译) | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉公司 |
| 主分类号： | H01L29/72 | 分类号： | H01L29/72;H01L21/70;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 双极型晶体管，包括收集区、集电区中的基区和在基区内的发射区。导电体的一部分位于双极型晶体管的基区宽度之上。使发射区自对准于导电体构成的某部分，最好使发射区扩散进入基区，以便减少基区宽度而不依赖于在基区和导电体构成的该部分之间的非常精确的对准。导电体构成的该部分用于耗尽双极型晶体管的基区宽度的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 双极型 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双极型晶体管(40)，包括：半导体层(12)；在该半导体层中的收集区(13)，该收集区具有第一导电类型；具有第二导电类型的、位于该收集区内的基区(14)，该基区具有一个基区宽度(23)；不与该半导体层直接接触的导电体(16)，该导电体覆盖于该基区宽度和收集区的一部分之上；在半导体层和导电体之间的电绝缘体(15)；其特征在于，该双极型晶体管(40)还包括：在收集区(13)中的收集极接触区(21)；在半导体层(12)与导电体(16)之间的场氧化区(41)，其中场氧化区邻近于电绝缘体，其中收集极接触区自对准于场氧化区，场氧化区增加了收集极和发射极之间的击穿电压，从而改进了双极型晶体管的高电压性能；以及具有第一导电类型的、位于基区内的发射区(20)，基区宽度位于发射区和收集区之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于摩托罗拉公司，未经摩托罗拉公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/97110996.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
