[发明专利]化学腐蚀槽无效
| 申请号： | 97104711.1 | 申请日： | 1997-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN1167337A | 公开（公告）日： | 1997-12-10 |
| 发明（设计）人： | 姜正镐;李光烈;孟东祚;黄宗燮 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3063 | 分类号： | H01L21/3063 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 杨梧 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种溢流式化学腐蚀槽，包括在其侧壁形成多个孔的内腐蚀槽。各孔与内腐蚀槽上端相距预定距离。在此化学腐蚀槽中，当内腐蚀槽中的化学物质流过内腐蚀槽的上端时，同时通过各孔排放至外腐蚀槽。因此，除非相对的两侧壁中的一侧倾斜低于另一侧超过预定值。否则在内腐蚀槽的两侧壁化学物质能以几乎相同的量连续流动，从而使因晶片位置不同而引起的腐蚀速率差异得以减小，使腐蚀工艺可靠性得以改善。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 腐蚀 | ||
【主权项】：
1.一种化学腐蚀槽，具有内腐蚀槽，通过供给管向其供给化学物质，并具有外腐蚀槽，通过排放管排放从内腐蚀槽引入的化学物质，所述内腐蚀槽包括与其各侧壁上端相距一定距离的多个孔，以致内腐蚀槽中的化学物质流过内腐蚀槽各侧壁上端时，同时流过各孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
