[发明专利]具有极化兼容缓冲层的金属绝缘体半导体结构无效
| 申请号： | 96196432.4 | 申请日： | 1996-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN1194060A | 公开（公告）日： | 1998-09-23 |
| 发明（设计）人： | 吾妻正道;卡洛斯·帕斯·德阿劳约 | 申请（专利权）人： | 塞姆特里克斯公司;松下电子工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/78;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 甘玲 |
| 地址： | 美国科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种MIS器件(20)包括半导体基板(22)、氮化硅缓冲层(24)、铁电体金属氧化物超晶格材料(26)、和贵金属顶电极(28)。该层状的超晶格材料(26)优选是锶铋钽酸盐、锶铋铌酸盐或锶铋铌钽酸盐。该器件按照一种优选的方法构成,该方法包括在层状超晶格材料沉积之前在该半导体基板上形成氮化硅。该层状超晶格材料优选采用在该前体溶液被加热时自发生成层状超晶格的液体聚烷氧化金属有机前体来沉积。在干燥前体液体期间的UV曝露使最终的晶体具有C－轴取向,并导致改进的薄膜电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 极化 兼容 缓冲 金属 绝缘体 半导体 结构 | ||
【主权项】：
1、一种用于集成电路的、包括半导体基板和形成在所述基板上的缓冲层的铁电器件，所述铁电器件的特征在于：在所述缓冲层上形成的一种铁电材料；和一个顶电极。
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