[发明专利]有简化阳极的横向发射极场发射器件及其制造方法无效
| 申请号: | 96194391.2 | 申请日: | 1996-05-31 |
| 公开(公告)号: | CN1186568A | 公开(公告)日: | 1998-07-01 |
| 发明(设计)人: | 迈克尔·D·波特 | 申请(专利权)人: | 先进图像技术公司 |
| 主分类号: | H01J1/62 | 分类号: | H01J1/62;H01J63/04 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 王维玉 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 横向场发射器件(10)具有基本与基片(20)平行的横向发射极(100),并具有简化的阳极结构(70)。阳极的上表面与横向发射极平面精确隔开,当加合适偏压时它接收来自横向发射阴极边缘场发射所发射的电子。该器件可以构成为二极管,或有控制极(140)的三极管,四极管等,控制极定位成给它们加电信号时能够控制发射极到阳极的电流。 | ||
| 搜索关键词: | 简化 阳极 横向 发射极 发射 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.使用冷阴极场发射电子源的场发射显示器件,包括:a)基片,其上表面定义为第一平面;b)置于与所述第一平面平行且隔开第一预定距离的第二平面上的场发射电子发射极,所述发射极有发射边;c)具有上下主表面的掩埋导电接触层,所述上下主表面之一与所述第一平面接触;d)与所述发射极的所述发射边隔开的导电发射极接触,它将发射极与至少部分所述掩埋导电接触层电连接,以提供阴极接触;d)置于所述第一和第二平面之间、有上主表面的第一绝缘层;e)置于所述第一绝缘层的所述上主表面上的阳极,它与所述导电发射接触隔开,并从所述第一绝缘层的上主表面向上延伸到其高度小于所述第一和第二平面之间的距离为止;f)电连接到所述阳极的导电阳极接触,由此给所述器件加偏压;g)给所述发射极和所述阳极加所述偏压的装置,要加的偏压足以产生从所述电子发射极的所述发射边到所述阳极的冷阴极发射电子电流。
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