[发明专利]有简化阳极的横向发射极场发射器件及其制造方法

权利要求书

1.使用冷阴极场发射电子源的场发射显示器件，包括：

a)基片，其上表面定义为第一平面；

b)置于与所述第一平面平行且隔开第一预定距离的第二平面上的场发射电子发射极，所述发射极有发射边；

c)具有上下主表面的掩埋导电接触层，所述上下主表面之一与所述第一平面接触；

d)与所述发射极的所述发射边隔开的导电发射极接触，它将发射极与至少部分所述掩埋导电接触层电连接，以提供阴极接触；

d)置于所述第一和第二平面之间、有上主表面的第一绝缘层；

e)置于所述第一绝缘层的所述上主表面上的阳极，它与所述导电发射接触隔开，并从所述第一绝缘层的上主表面向上延伸到其高度小于所述第一和第二平面之间的距离为止；

f)电连接到所述阳极的导电阳极接触，由此给所述器件加偏压；

g)给所述发射极和所述阳极加所述偏压的装置，要加的偏压足以产生从所述电子发射极的所述发射边到所述阳极的冷阴极发射电子电流。

2.如权利要求1的器件，还包括：

h)导电控制极，置于与所述第一和第二平面隔开的第三平面中，所述控制极有与所述发射极的所述发射边基本对准的控制极边；

i)第二绝缘层，它置于所述第二和第三平面之间，以绝缘所述控制极与所述电子发射极；

j)与所述导电发射极接触、所述导电阳极接触、及所述控制极边隔开的导电控制极接触，它电连接到所述控制极；及

k)给所述导电控制极接触提供控制信号的装置，由此所述器件可作为三极管控制。

3.如权利要求1的器件，其特征为，所述阳极至少部分延伸到所述发射边下面。

4.如权利要求1的器件，其特征为，所述阳极包括荧光粉。

5.如权利要求1的器件，其特征为，所述电子发射极包括厚度小于300埃的薄膜结构。

6.如权利要求1的器件，其特征为，所述电子发射极的所述发射边包括曲率半径小于150埃的刃。

7.如权利要求4的器件，其特征为，所述荧光粉包括选自下面的材料：ZnO∶Zn；SnO₂∶Eu；ZnGa₂O₄∶Mn；La₂O₂S∶Tb；Y₂O₂S∶Eu；LaOBr∶Tb；ZnS∶Zn+In₂O₃；ZnS∶Cu，Al+In₂O₃；(ZnCd)S∶Ag+In₂O₃；和ZnS∶Mn+In₂O₃。

8.如权利要求4的器件，其特征为，所述荧光粉包括多个有不同颜色阴极发光的荧光材料。

9.如权利要求4的器件，其特征为，所述荧光粉包括分别有红、绿、兰光谱部分的阴极发光的荧光材料。

10.如权利要求5的器件，其特征为，所述薄膜结构至少包括一层其功函数小于约三个电子伏特的用于电子发射的薄膜。

11.如权利要求5的器件，其特征为，所述薄膜结构至少包括一层金属薄膜。

12.如权利要求1-11之一的器件，其特征为，所述基片，所述发射极，所述阳极，所述控制极，及所述第一和第二绝缘层都对光基本透明。