[发明专利]热头上的公用电极结构的辅助电极层的形成方法无效

专利信息
申请号: 96190896.3 申请日: 1996-06-13
公开(公告)号: CN1070113C 公开(公告)日: 2001-08-29
发明(设计)人: 法贵英昭 申请(专利权)人: 罗姆股份有限公司
主分类号: B41J2/335 分类号: B41J2/335
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 杨凯,王忠忠
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种热头上的公共电极结构的辅助电极层形成方法。本发明的方法包括下列各步骤准备在表面上具有共同电极结构(4)的、且对应于多个头基板的主基板(1′);在前述主基板(1′)上形成沿着前述共同电极结构(4)的至少1个槽(9);在前述主基板(1′)的背面形成辅助电极层(6),该辅助电极层(6)通过所述槽(9)以电导通的方式蔓延到前述共同电极结构(4)上。使前述槽(9)的宽度例如大于0.5mm,特别是大于0.8mm,可以控制辅助电极层(6)的适当的蔓延量(R)。$#!
搜索关键词: 热头上 公用 电极 结构 辅助 形成 方法
【主权项】:
1.一种热头上的公共电极结构的辅助电极层形成方法,其特征在于包括:准备在表面上具有公共电极结构的、且对应于多个头基板的主基板;在所述主基板上形成沿着所述公共电极结构的至少1个槽;在所述主基板的背面形成辅助电极层,该辅助电极层通过所述槽以电导通的方式蔓延到所述公共电极结构上。
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