[发明专利]热头上的公用电极结构的辅助电极层的形成方法无效
| 申请号: | 96190896.3 | 申请日: | 1996-06-13 |
| 公开(公告)号: | CN1070113C | 公开(公告)日: | 2001-08-29 |
| 发明(设计)人: | 法贵英昭 | 申请(专利权)人: | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号: | B41J2/335 | 分类号: | B41J2/335 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杨凯,王忠忠 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 热头上 公用 电极 结构 辅助 形成 方法 | ||
1.一种热头上的公共电极结构的辅助电极层形成方法,其特征在于包括:
准备在表面上具有公共电极结构的、且对应于多个头基板的主基板;
在所述主基板上形成沿着所述公共电极结构的至少1个槽;
在所述主基板的背面形成辅助电极层,该辅助电极层通过所述槽以电导通的方式蔓延到所述公共电极结构上。
2.根据权利要求1所述的辅助电极层形成方法,其特征在于,使所述槽具有0.5mm以上的宽度。
3.根据权利要求2所述的辅助电极层形成方法,其特征在于,使所述槽具有0.8mm以上的宽度。
4.根据权利要求1所述的辅助电极层形成方法,其特征在于,所述主基板具有沿着所述公共电极结构的至少1个沟,所述公共电极结构在所述沟内延伸,借助于在所述沟内形成宽度比该沟宽度窄的所述槽而形成台阶,所述辅助电极层蔓延到所述台阶上,与所述共同电极结构导通。
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