[发明专利]能根据工作方式设定衬底电压幅度的半导体存储装置无效
| 申请号： | 96122645.5 | 申请日： | 1996-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN1113361C | 公开（公告）日： | 2003-07-02 |
| 发明（设计）人： | 中井润 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14;G11C11/407 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴增勇,萧掬昌 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | DRAM包括产生负的加到第一节点的基片电压的基片电压产生装置。后者包括检测电路。检测电路包括第一、二和三PMOS晶体管。第三PMOS晶体管在自刷新方式接收“L”电平信号而在正常方式接收“H”电平信号。结果，基片电压的箝位电平在自刷新方式下大而在正常方式下小。在自刷新方式下NMOS晶体管具有大于正常方式下的基片电压而导通，因此基片电压增大并且暂停刷新能力得到改善。因此可加大内/RAS的时间间隔和降低自刷新方式下的电力消耗。 | ||
| 搜索关键词： | 根据 工作 方式 设定 衬底 电压 幅度 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种具有正常方式和专用方式的半导体存储装置，该装置包括：用于产生加到输出节点(N1)的具有负值的衬底电压的衬底电压产生单元(35)，所述衬底电压产生单元(35)包括：用于检测所述输出节点(N1)的电位电平的检测装置(53)，以及用于根据由所述检测装置(53)检测到的电位电平而产生所述衬底电压的产生装置(47)，当所述输出节点(N1)的电位超过预定的电位时，所述检测装置(53)使所述产生装置(47)工作，以及所述检测装置(53)响应表明进入所述专用方式的信号(ZBBU)而把所述预定的电位调整到高于正常方式下所述预定电位电平的电平，其特征在于：所述专用方式是自刷新方式。
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