[发明专利]多步反应法制备氧化镍/氧化硅和镍/氧化硅介孔复合体无效

专利信息
申请号: 96117101.4 申请日: 1996-09-18
公开(公告)号: CN1154268A 公开(公告)日: 1997-07-16
发明(设计)人: 汪国忠;李广海;何国良;张立德 申请(专利权)人: 中国科学院固体物理研究所
主分类号: B01J20/10 分类号: B01J20/10;B01J23/755
代理公司: 中国科学院合肥专利事务所 代理人: 周国城
地址: 230031*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明方法首先用正硅酸乙酯、乙醇和水为原料,通过溶胶凝胶法制备有孔洞的SiO2固体,再把SiO2固体浸泡在NiCl2液体中,取出后清洗,再浸在(NH4)2CO3液中,得到NiCO3的SiO2介孔固体,煅烧后得到NiO/SiO2介孔复合体。要得到Ni/SiO2的介孔复合体,只需通氢气还原。本发明方法简洁,产品产量高,纯度高(>99%),颗粒分布均匀,能方便地控制Ni和NiO的掺含量,及改善介孔复合体的孔隙率和比表面。
搜索关键词: 反应 法制 氧化 硅介孔 复合体
【主权项】:
1.一种制备氧化镍/氧化硅和镍/氧化硅的多步反应方法,其特征是,先采用正硅酸乙酯,乙醇和水为原料,在酸催化剂的作用下,用氨水调整PH值,通过溶胶--凝胶反应法制备出带有孔洞的SiO2固体;再将带孔洞的SiO2固体浸泡在NiCl2溶液中,取出来清洗后,再放在(NH4)2CO3中浸泡,使NiCl2和(NH4)2CO3在SiO2的孔洞中充分反应,得到NiCO3的SiO2介孔固体,在300℃~800℃温度下煅烧即得到NiO/SiO2的介孔复合体,再通氢气还原NiO/SiO2的介孔复合体,即得到Ni/SiO2的介孔复合体。
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