[发明专利]氮化硅多孔体及其制造方法无效
| 申请号： | 96112261.7 | 申请日： | 1996-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN1160277C | 公开（公告）日： | 2004-08-04 |
| 发明（设计）人： | 松浦贵宏;河合千寻;山川晃 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C04B38/00 | 分类号： | C04B38/00;C04B35/584 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨丽琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供可用作过滤器和催化剂载体，耐酸碱极优，进而具有优良机械强度和耐久性的陶瓷多孔体。氮化硅多孔体含有很多个氮化硅晶粒、在其粒界相处形成孔洞，或具有本体部分和孔洞部分，本体部分由很多个氮化硅晶粒构成、孔洞部分形成三元网状结构。本体部由90(体积)％以上氮化硅晶粒构成，而氮化硅晶粒相互之间通过直接结合形成。将把氮化硅作为主成分的多孔体，通过与酸和/或碱接触，部分或全部溶解去除氮化硅以外的成分，以制成多孔体。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 多孔 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化硅多孔体，该多孔体含有很多个氮化硅晶粒，在其晶粒交界处形成孔洞，该多孔体含有本体部分和孔洞部分，其中所述的本体部分由90体积％以上的、相互之间直接结合的氮化硅晶粒构成，且所述的孔洞部分形成三元网状结构，该网状结构通过用酸和/或碱处理，部分或全部溶解和除去除氮化硅之外的成分而得到。
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