[发明专利]改善无位错单晶的成品率的方法无效
| 申请号： | 96111030.9 | 申请日： | 1996-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN1087362C | 公开（公告）日： | 2002-07-10 |
| 发明（设计）人： | 理查德·Ｌ·翰森;罗伯特·Ｄ·谢里;拉里·Ｅ·德拉法;罗伯特·Ｍ·麦卡琴;约翰·Ｄ·霍尔德;里昂·Ａ·艾伦 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司;通用电器公司 |
| 主分类号： | C30B15/12 | 分类号： | C30B15/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种加固直拉工艺中容纳熔融半导体材料的坩埚和阻止此工艺中位错形成的方法，所说坩埚包括有内外表面的底壁和侧壁及其构成的腔的石英本体，在低于约600℃温度下，在侧壁内表面上淀积第一反玻璃化促进剂，淀积是这样的将坩埚加热到600℃以上，在内表面上形成第一层基本上反玻璃化的石英，在低于约600℃温度下，在侧壁外表面上淀积第二反玻璃化促进剂，将坩埚加热到600℃以上，在外表面上形成能加固透明石英本体的第二层基本反玻璃化的石英。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 无位错单晶 成品率 方法 | ||
【主权项】：
1.一种阻止位错形成的方法，其中所说位错是在从由熔融石英坩埚所容纳的熔化半导体材料由直拉工艺生长的单晶内形成的，该熔融石英坩埚的直径至少为12英寸且包括玻璃质石英本体，其本体有底壁和由底壁向上延伸形成的并由此限定一个容纳熔化半导体材料的腔的侧壁，侧壁和底壁各有一内表面和外表面，该方法包括在低于约600℃的温度下、在所说侧壁内表面上淀积碱土金属反玻璃化促进剂，同时该侧壁内表面保持在玻璃质状态，所述碱土金属反玻璃化促进剂的淀积浓度为0.10mM/1000cm2-0.60mM/1000cm2，淀积是这样的：将熔融石英坩埚加热到600℃以上，碱土金属反玻璃化促进剂与熔融石英坩埚反应在熔融石英坩埚上形成结晶核，随后长成为β方英石构成的反玻璃化连续外壳，在由熔化半导体材料拉制晶体时，该外壳均匀溶解到熔化半导体材料中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于MEMC电子材料有限公司;通用电器公司，未经MEMC电子材料有限公司;通用电器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/96111030.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
