[发明专利]改善无位错单晶的成品率的方法

权利要求书

1.一种阻止位错形成的方法，其中所说位错是在从由熔融石英坩埚所容纳的熔化半导体材料由直拉工艺生长的单晶内形成的，该熔融石英坩埚的直径至少为12英寸且包括玻璃质石英本体，其本体有底壁和由底壁向上延伸形成的并由此限定一个容纳熔化半导体材料的腔的侧壁，侧壁和底壁各有一内表面和外表面，该方法包括在低于约600℃的温度下、在所说侧壁内表面上淀积碱土金属反玻璃化促进剂，同时该侧壁内表面保持在玻璃质状态，所述碱土金属反玻璃化促进剂的淀积浓度为0.10mM/1000cm²-0.60mM/1000cm²，淀积是这样的：将熔融石英坩埚加热到600℃以上，碱土金属反玻璃化促进剂与熔融石英坩埚反应在熔融石英坩埚上形成结晶核，随后长成为β方英石构成的反玻璃化连续外壳，在由熔化半导体材料拉制晶体时，该外壳均匀溶解到熔化半导体材料中。

2.如权利要求1所述方法，其特征在于：所说碱土金属反玻璃化促进剂在底壁的内表面上。

3.如权利要求1所述方法，其特征在于：底壁内表面没有碱土金属反玻璃化促进剂。

4.如权利要求1所述方法，其特征在于：所说碱土金属反玻璃化促进剂包括钡。

5.如权利要求4所述方法，其特征在于：碱土金属反玻璃化促进剂是氧化物、氢氧化物、碳酸盐、草酸盐、硅酸盐、过氧化物、氟化物或氯化物。

6.如权利要求1所述方法，其特征在于：在内表面上淀积碱土金属反玻璃化促进剂的步骤包括在内表面上滴涂碱土金属盐的水溶液。

7.如权利要求6所述方法，其特征在于：在内表面上滴涂溶液时，所说坩埚是旋转的。