[发明专利]硅片的制造装置无效
| 申请号: | 96110121.0 | 申请日: | 1996-07-03 |
| 公开(公告)号: | CN1096108C | 公开(公告)日: | 2002-12-11 |
| 发明(设计)人: | 田中惠一;加贺谷修;畠中彻 | 申请(专利权)人: | 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社;三菱麻铁里亚尔株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B24B7/17 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 温大鹏,杨松龄 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 在本发明中,把切片后的硅片插入托盘14的圆孔15中,把硅片夹持在上磨具13与下磨具12之间,并分别使上磨具13及下磨具12以规定速度转动。由此而同时对硅片两面进行磨削。此时上磨具13以规定荷重压在硅片上,同时下降例如100μm。向上磨具13的开口部13B供给磨削液,把硅片温度控制为一定值。所供给的磨削液在上、下磨具13、12离心力作用下通过各磨具13、12磨削面的槽而不断地供给到硅片两面的整个范围中。 | ||
| 搜索关键词: | 硅片 制造 装置 | ||
【主权项】:
1.一种硅片制造装置,它设有在把硅片夹持在板状上磨具与下磨具之间的状态下同时磨削硅片表里面的两面磨削装置,以及控制在进行磨削时硅片表里面温度的温度控制装置,上述温度控制装置是在两面磨削装置中通过对磨削中的硅片表里面的整个范围供给磨削液而控制其温度的,其特征在于,上述温度控制装置是包括上述上磨具与上述下磨具的各内周面构成的液腔(W),在上述上磨具与上述下磨具上分别形成的供应磨削液至上述上磨具和上述下磨具的每一上述磨削面用的多个磨削液通道(20,21,22,23),以及向上述液腔与上述磨削液通道供应磨削液的磨削液供给装置构成的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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