[发明专利]表面处理的方法和系统无效
| 申请号： | 95118750.3 | 申请日： | 1995-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN1069439C | 公开（公告）日： | 2001-08-08 |
| 发明（设计）人： | 小藤直行;新井真;辻本和典;水谷巽;铃木敬三;水石贤一 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01J37/305 | 分类号： | H01J37/305;H01L21/3065;C30B33/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 丰迅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 为了抑制由于电子遮蔽现象而引起的开槽、电荷聚集损伤、副沟和弯弓形，提供一种占空比等于或低于５％和重复频率等于或高于４００ＫＨ＃-[z]脉冲电压。因此，在衬底偏置中出现一个用于加速电子的周期，从而使电子遮蔽现象不出现。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 处理 方法 系统 | ||
【主权项】：
1．一种表面处理方法，该方法用于对一个放置于一个减压室内的、待处理的衬底提供一种等离子体，并且对上述衬底提供一种偏置电压从而对上述衬底进行处理，其特征在于提供一种正的脉冲波电压作为上述偏置电压，还在于设置上述脉冲的占空比等于或低于5％和重复频率等于或高于400KHz以使在上述处理期间内上述衬底的电位的最大值高于上述等离子体的电位。
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