[发明专利]用于制造半导体器件的光掩模的制造方法无效
| 申请号： | 95115216.5 | 申请日： | 1995-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN1123420A | 公开（公告）日： | 1996-05-29 |
| 发明（设计）人： | 黄儁 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/08 | 分类号： | G03F1/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 萧掬昌,马铁良 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于制造半导体器件的光掩模的制造方法，能够形成与光掩模的铬图形宽度相同的光致抗蚀胶图形，通过减少低质图形提高器件产量，通过在与铬图形隔离区两侧间隔一定距离的区域形成仿真图形，防止由于曝光时曝光量的差异导致的邻近效应造成形成在晶片上的光致抗蚀胶图形宽度的改变。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 光掩模 方法 | ||
【主权项】：
1.用于制造半导体器件的光掩模的制造方法，其中在与铬图形隔离区两侧保持隔开一定距离形成仿真图形，以防止形成在晶片上的光致抗蚀胶薄膜图形的图形宽度改变。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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