[发明专利]用于制造半导体器件的光掩模的制造方法

说明书

本发明涉及一种用于制造半导体器件的光掩模的制造方法，特别涉及这样的一种用于制造半导体器件的光掩模的制造方法：通过在与铬图形同一方向并与铬图形隔离区两侧隔开一定间隔形成预定宽度的仿真图案，以减少曝光时曝光量的差异所造成的邻近效应，使该半导体器件形成图形宽度均匀的光致抗蚀胶图形。

一般来说，在半导体器件制造工艺中采用光刻和蚀刻工艺在一预定层上形成图形，光刻工艺由涂覆光致抗蚀胶，用预定光掩模曝光，然后进行显影等步骤构成。曝光时，由于图形稠密区和隔离区之间曝光量的差异使图形隔离区产生邻近效应，即，图形宽度改变。下面参考图1A和1B阐述用于制造半导体器件的光掩模的常规制造方法。

如图1A所示，在用于制造半导体器件的光掩模的常规制造方法中，通过在涂有铬的石英基底5上涂覆光致抗蚀胶(未画出)，并用预定掩模构成图形来形成，例如图形宽度为″A″的铬图形。将按上述方法制成的光掩模10设置在涂有光致抗蚀胶的晶片上。进行曝光处理并显影，从而在晶片20上形成如图1B所示的光致抗蚀胶图形3。所形成的光致抗蚀胶3的稠密区的宽度与光掩模10的铬图形1的宽度″A″相同；但是，光致抗蚀图形3的隔离区，例如″X″部分两侧被损坏，其宽度降至″AA″。

这是由于曝光时曝光量的差异导致的邻近效应所造成的；并且随着半导体器件集成度的增加，图形宽度的改变进一步加重，因此明显降低该工艺的稳定性和器件的成品产量。

因此，本发明的目的是提供一种用于制造半导体器件的光掩模的制造方法，通过在与铬图形同一方向并与铬图形隔离区两侧隔开一定间隔形成一定宽度的仿真图案，以使该半导体器件能消除上述问题

为达到上述目的，本发明的特征是形成与铬图形隔离区两侧保持一定间隔的仿真图案，以防止晶片形成的光致抗蚀胶图形的图形宽度改变。

为更好地理解本发明的特性和目的，下面参考附科进行详细说明。其中：

图1A是常规光掩模的平面图；

图1B是采用图1A的光掩模形成的光致抗蚀胶图形的平面图；

图2A是根据本发明制造的光掩模的平面图；

图2B是采用图2A的光掩模形成的光致抗蚀胶图形的平面图。

几幅图中相同的参考标号表示相同区域。

下面参考图2A和2B描述根据本发明的用于制造半导体器件的光掩模的制造方法。

如图2A所示，根据本发明的用于制造半导体器件的光掩模的制造方法中，在涂有铬的石英基底5上涂覆光致抗蚀胶(未画出)，并通过采用掩模构成铬图形形成，例如图形宽度为″A″的铬图形1。此外，在与铬图形1的隔离区两侧相距″B″的区域形成与铬图形1同方向的宽度为″C″的仿真图案2。此后，将按上述方法制造的光掩模10A设置在涂有光致抗蚀胶的晶片上。进行曝光处理并使光致抗蚀胶显影，从而在晶片20A上形成如图2B所示光致抗蚀胶图形。此时，所形成的仿真图形2的宽度″C″是，例如0.05至0.2μm，间距是0.3至0.8μm。

如上所述，由于通过降低曝光时光量差异导致的邻近效应能够形成与光掩模的铬图形相同宽度的光致抗蚀胶图形，本发明可用来构成例如栅极图形，并且通过把低质图形出现率降至最低而提高了器件产量。