[发明专利]掺杂钽酸钇、钽酸镥或钽酸钆在低压发光中的应用无效

申请号：	95107771.6	申请日：	1995-06-30
公开（公告）号：	CN1119667A	公开（公告）日：	1996-04-03
发明（设计）人：	修格南·丹尼斯	申请（专利权）人：	罗纳·布朗克化学公司
主分类号：	C09K11/08	分类号：	C09K11/08;C01B35/00
代理公司：	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人：	范本国
地址：	法国***	国省代码：	暂无信息
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摘要：	本发明涉及一种将掺杂了的钇、镥或钆元素的钽酸盐用于低压发光的新用途。上述的这些钽酸盐可以用铌或者从包括镨、铕、铽和铥的一组元素中选出的一种稀土元素进行掺杂。本发明在钽酸盐可以用于场致发射显示器件的制造中。
搜索关键词：	掺杂钽酸钇钽酸镥钽酸钆低压发光中的应用
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【主权项】：

1.在生产低电压发光装置的过程中，使用掺杂的钽酸钇、钽酸镥或钽酸钆作为发光材料。

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摘要：本发明提供一种发光性粒子的制造方法，该发光性粒子的分散性及稳定性优异且使用了由金属卤化物构成的半导体纳米晶体粒子。一种发光性粒子的制造方法，该发光性粒子在由金属卤化物构成的半导体纳米晶体粒子的表面具备含Si的表面层，该制造方法具备下述工序：从包含半导体纳米晶体粒子的原料、具有键结性基和水解性甲硅烷基的硅烷化合物A、以及溶剂的溶液形成半导体纳米晶体粒子及聚硅氧烷键，从而获得前驱物粒子的工序；将前驱物粒子、具备含有碱性基的结构单元及亲溶剂性结构单元的聚合物B、以及溶剂进行混合而获得混合物的工序；以及将具有水解性甲硅烷基的硅烷化合物C添加至混合物中，获得在前驱物粒子的表面具备包含聚合物B及硅烷化合物C的聚合物的层的发光性粒子的工序。

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摘要：本发明涉及一种作为白色发光装置的发光装置，所述发光装置包括：发光二极管，发出蓝色光；以及波长转换部，位于所述发光二极管上，其中，所述波长转换部包括：第一红色荧光体和第二红色荧光体，发出具有红色光波段的峰值波长的光；以及蓝绿色荧光体，发出具有蓝绿色光波段的峰值波长的光，其中，所述第一红色荧光体与所述第二红色荧光体是互相不同的物质，其中，所述发光装置发出具有90以上的CRI值的白色光。

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氮化物荧光体及其制造方法-202180048030.8
发明人：小笠裕史;吉田茂希;渡边浩之 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C09K11/08
摘要：本发明涉及一种氮化物荧光体的制造方法，该方法包括：将包含选自Y、La、Ce、Lu及Gd中的至少1种稀土类元素的化合物在800℃以上且1800℃以下范围内的温度下进行热处理，得到微晶直径为150nm以上的第1热处理物；和在1200℃以上且1800℃以下范围内的温度下对包含上述第1热处理物、以及根据需要含有的原料的混合物进行热处理，得到第2热处理物，作为根据需要包含的原料，包括选自Y、Lu及Gd中的至少1种稀土类元素M的M源、La源、Si源以及Ce源，上述混合物被制成使这些原料成为组成式LawMxSi6Ny:Cez所示的组成。在上述组成式中，w、x、y及z满足0.5≤w≤4.5、0＜x≤1.5、0≤y≤12、0＜z≤1.5、0.15＜(x+z)＜3.0、3.0≤(w+x+z)≤7.5。

发光材料、照明设备和照明设备的应用-201780070062.1
发明人：马库斯·西巴尔德;多米尼克·鲍曼;托尔斯滕·施罗德;斯特凡·朗格;格雷戈尔·赫德尔;吉娜·马亚·阿赫赖纳;胡贝特·胡佩茨;西蒙·佩施克;阿列克谢·马尔丘克;菲利普·施密德;弗兰齐斯卡·赫梅尔;斯特凡妮·迪克斯梅耶 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C09K11/08
摘要：本发明涉及一种发光材料，所述发光材料具有式(MB)(TA)3‑2x(TC)1+2xO4‑4xN4x:E，其中：‑TA选自一价金属，所述一价金属包括Li、Na、Cu、Ag和由其构成的组合，‑MB选自二价金属，所述二价金属包括Mg、Ca、Sr、Ba、Zn和由其构成的组合，‑TC选自三价金属，所述三价金属包括B、Al、Ga、In、Y、Fe、Cr、Sc、稀土金属和由其构成的组合，‑E选自如下组，所述组包括Eu、Mn、Ce、Yb和由其构成的组合，并且其中适用：0＜x＜0.875。

绿光发射磷光体及其装置-202180042076.9
发明人： S·J·卡玛德洛;M·D·布特斯;A·A·赛特鲁尔 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C09K11/08
摘要：绿光发射磷光体可用于包括以辐射方式耦合和/或以光学方式耦合到磷光体的LED光源的装置中，所述绿光发射磷光体选自[Ba1‑a‑bSraCab]x[Mg,Zn]y(UO2)z([P,V]O4)2(x+y+z)/3，其中0≤a≤1、0≤b≤1、0.75≤x≤1.25、0.75≤y≤1.25、0.75≤z≤1.25；和[Ba,Sr,Ca,Mg,Zn]p(UO2)q[P,V]rO(2p+2q+5r)/2，其中2.5≤p≤3.5、1.75≤q≤2.25、3.5≤r≤4.5。

单相暖白光荧光陶瓷及其制备方法和应用-202111395190.8
发明人：曹永革;文子诚;唐巍;左传东;李英魁 -专利权人：松山湖材料实验室;中国科学院物理研究所
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： C09K11/08
摘要：本发明涉及荧光技术领域，尤其是涉及一种单相暖白光荧光陶瓷及其制备方法和应用。单相暖白光荧光陶瓷，为Dy3+掺杂的Ba(Zr,Mg,Ta)O3透明陶瓷，化学组成为aDy3+：Ba(ZrxMgyTaz)O3；其中，a为0.0005～0.1，x+y+z＝1，y﹕z＝1﹕2。本发明通过调节Dy3+的掺杂浓度，配合陶瓷，调节发光峰的比例，具有紫外激发发白光的特性，可直接匹配商用紫外光芯片，用于室内照明领域；相较于其他商用荧光粉具有可承载高功率激发、发光强度大、热稳定性等特点。

发光装置-201910233767.1
发明人：金明珍;吴光龙;南基范;吴志莲;朴相信;林迈克 -专利权人：首尔半导体株式会社
申请日： 2015-10-07 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C09K11/08
摘要：本发明涉及一种为白色发光装置的发光装置，包括：发光二极管，发出具有蓝色范围内的峰值波长的光；波长转换部，位于发光二极管上，波长转换部包括：红色荧光体，发出具有红色光波段的峰值波长的光；绿色荧光体，发出具有绿色光波段的峰值波长的光；蓝绿色荧光体，发出具有蓝绿色光波段的峰值波长的光，从发光装置发出的光具有90以上的CRI值，且根据如下式1的光量变化率超过100％，[式1]光量变化率＝[F1/F0]×100，F1:从发光装置发出的光的光量；F0:从具有如下的波长转换部的发光装置发出的光的光量。

专利分类

C 化学；冶金

C09 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用
C09K 不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用
C09K11-00 发光材料，例如电致发光材料、化学发光材料
C09K11-01 .发光材料的回收
C09K11-02 .以特殊材料作为黏合剂，用于粒子涂层或作悬浮介质
C09K11-04 .含有天然或人造放射性元素或未经指明的放射性元素
C09K11-06 .含有机发光材料
C09K11-08 .含无机发光材料

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[发明专利]掺杂钽酸钇、钽酸镥或钽酸钆在低压发光中的应用无效

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