[实用新型]对靶式直流磁控离子溅射台

摘要

本实用新型是对靶式直流磁控离子溅射台，属于电子镀膜技术领域。现有的磁控溅射台均采用双层环形磁体结构，靶材利用率低，耗电量大，成膜速率低。本实用新型的目的在于解决靶材利用率，成膜质量等问题。采用U形磁体结构，在两极之间形成均匀的辉光放电区，磁极间距可以调节，靶可得到充分利用，成膜速率高、均匀，质量好，结构紧凑，便于放入真空系统，利于推广使用，制作超导薄膜、金属薄膜、合金薄膜及其它导电薄膜。

主权项

1、一种由正、负磁极构成的对靶式直流磁控离子溅射台，其特征在于它是由磁体[4]、导磁体[8]、靶[9]、基片支架[5]、阳极板[1]构成。