[实用新型]对靶式直流磁控离子溅射台

说明书

本实用新型的名称是对靶式直流磁控离子溅射台，属于镀膜技术领域。

常用及市售直流磁控溅射台均采用双层环形磁体结构。工作时辉光放电区在靶面外正负磁极之间产生，形成一园环式辉光放电带。溅射过程中，靶材只被利用了一环形带，其余部分不能被利用 ，因此靶材利用率低。另外这种结构溅射台工作时，直流电流一般大于1A，耗电量大于200W，导致电源结构复杂。同时，这种结构的溅射台，成膜速率较低。

本实用新型的目的在于提供一种新颖的直流磁控离子溅射装置，充分利用靶材，提高成膜速率和质量，

本溅射台具体结构如附图所示。包括靶材架、U形磁体、阳极板和基片支架。两个靶材用电线连接后接电源负极，阳极板接电源正极。其中：1是阳极板，2是靶材架，3是绝缘垫片，4是磁体，5是基片支架，6是调节螺母，7是磁体铜套，8是导磁体，9是靶。磁体和导磁体组成U型磁体。

本实用新型的主要发明点有两个，一是采用了新型的磁体结构，导致辉光放电区在两靶之间呈柱形。几乎在整个靶材表面附近都存在辉光放电，整个靶材表面都可用于溅射薄膜，靶材利用率极高，二是将磁体做成U型，使磁路闭合，结构紧凑。同时利用U型磁体自我支撑，使安装极为方便，可随意放入一真空系统中使用，不必单独设计及制做专用真空系统。

本实用新型靶材利用率高。由于采用两个相对靶溅射，溅射薄膜均匀。工作时耗电量小，直流输入电流小于50MA，耗电功率小于20W。溅射镀膜的速率可由简单地改变直流输入电流来控制。溅膜速率较高，可大于100A／分钟。

新型的溅射装置，可以很方便地放入真空系统中使用，制作超导薄膜、金属薄膜、合金薄膜及其它导电薄膜。

附图说明

图1：溅射台结构示意图

1－阳极板 2－靶材架 3－绝缘垫片 4－磁体

5－基片支架 6－调距螺母 7－磁体铜套

8－导磁体 9－靶