[发明专利]半桥激励电路

摘要

一种半桥激励电路，包括一个下激励模件和一个浮动的上激励模件，用以激励高压半桥相应的外部上下功率晶体管。该电路设在一个集成电路芯片上。集成电路芯片上有一个自举二极管仿效器，用以对供电给上激励模件的外自举电容器充电。上激励器装在一绝缘阱中，二极管仿效器则有一个沿阱外围形成的ＬＤＭＯＳ晶体管作为其主载流元件。使ＬＤＭＯＳ晶体管激励到导通状态，在此同时使下功率晶体管也激励到导通状态。

主权项

1．一种半桥激励电路，由连接在高压直流电源的输出端与相应的上下干线之间的上下两个功率晶体管构成，用以给具有第一第二两端的一个自举电容器充电，该第一端接所述输出端，所述电路的特征在于，它包括：控制和电平移位装置，同以产生上下激励指令信号，供控制激励所述各上下功率晶体管，使其不致同时导通；电源装置，用以在电源输出端产生比所述较低干线低的控制电压；一个下激励模件，与电源输出端连接，由所述较低的控制电压供电，该模件具有信号施加装置，供根据所述下激励指令信号将下激励控制信号加到下功率晶体管的控制极与下干线之间；一个上激励模件，适宜接所述自举电容器，以便由所述自举电容器两端的自举电压供电，该模件有一个信号施加装置，同以根据所述上激励指令信号将上激励控制信号加到上功率晶体管的控制极与所述输出端之间；和自举二极管仿效装置，用以将所述自举电容器充电到所述自举电压，所述自举二极管仿效装置还有一个晶体管，该晶体管的高电流的第一电极接所述电源输出端，晶体管的高电流的第二电极适宜接自举电容器的另一端，晶体管的作控制用的第三电极耦合到一个装置上，该装置用以从所述下激励指令信号获取另一个控制信号，用以使所述另一个晶体管在下功率晶体管受激导通时受激导通。