[发明专利]人造金刚石薄膜快速生长的方法无效
申请号: | 94105416.0 | 申请日: | 1994-07-15 |
公开(公告)号: | CN1106470A | 公开(公告)日: | 1995-08-09 |
发明(设计)人: | 郑鲁生;马元霞;朱纪伍 | 申请(专利权)人: | 郑鲁生;马元震;朱纪伍 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/50 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 250014 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明涉及一种人造金刚石薄膜快速生长技术,系将金属材料钼、钛工件用金刚石微粉打磨其表面,然后在其上涂覆有催化剂与金刚石微粉混合在一起的涂覆料,将其放入微波等离子体合成金刚石薄膜机的真空反应区内,抽真空至真空度达Pa-1后,先充入氢气,再通入甲烷气或碳氢化物,打开微波电源微波放电,在反应室内发生电离,碳氢化物或甲烷气分解,1小时后放入反应室的工件表面,热沉上1.5mm厚的人造金刚石薄膜。 | ||
搜索关键词: | 人造 金刚石 薄膜 快速 生长 方法 | ||
【主权项】:
1、一种人造金刚石薄膜快速生长方法,系将经过表面处理的金属工件,通过微波等离子体放电装置进行化学气相沉积人造金刚石的方法,其特征在于金属材料钼、钛工件,用金刚石微粉打磨其表面清除油污,然后涂覆有催化剂与金刚石微粉混合在一起的涂覆料,放入微波等离子体合成的金刚石薄膜机的真空反应区内,抽真空至真空度达Pa-1后,先充入氢气,再通入甲烷气或碳氢化合物,打开微波电源加热,温度不高于1050℃,反应1小时,放入反应室的工件表面热沉上1.5mm/h厚的人造金刚石薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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