[发明专利]一种以CoCu为基掺杂的颗粒薄带巨磁电阻材料及其制备方法无效
申请号: | 94100108.3 | 申请日: | 1994-01-13 |
公开(公告)号: | CN1053759C | 公开(公告)日: | 2000-06-21 |
发明(设计)人: | 李民;赵学根;赵同云;赵见高 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | H01F1/01 | 分类号: | H01F1/01 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100080 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种磁性材料,特别是以CoCu为基掺杂颗粒薄带巨磁电阻材料及其制备方法。CoCu基颗粒薄带巨磁电阻材料组成为(Co1-yMy)xCu1-x,其中M=Fe、B、Er、Cr;y=0—0.6;X=0.15—0.35;本发明提供一种利用两种或多种非固溶或难溶元素,采用快淬工艺来制备各向同性磁电阻与磁场在相当宽的范围内基本呈线性关系的巨磁电阻颗粒薄带材料的方法。 | ||
搜索关键词: | 一种 cocu 掺杂 颗粒 薄带巨 磁电 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种以CoCu为基掺杂的颗粒薄带巨磁电阻材料,其特征在于:组成为(Co1-yMy)xCu1-x其中M=Fe,B,Er,Cry=0.05-0.6x=0.15-0.35。
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