[发明专利]发光半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 91103462.5 | 申请日： | 1991-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN1056771A | 公开（公告）日： | 1991-12-04 |
| 发明（设计）人： | 阿德里安·瓦尔斯特;库恩·T·H·F·利登包姆 | 申请（专利权）人： | 菲利浦光灯制造公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S3/19 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 吕晓章,肖掬昌 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种包含具有第一导电型半导体基片的半导体本体的发光半导体二极管，所述基片上至少存在第一导电型过渡层、第一导电型第一涂层、活性层及第二导电型第二涂层。其中过渡层含有砷化铝镓，铝含量至少为属于活性层带隙的最小值。因此活性层在例如650nm波长发射而半导体层仍具有良好晶体质量和表面几何形状。当活性层为具有比较厚势阱层的多量子势阱结构时它甚至在633nm发射。在本发明方法中，利用比较高的生长温度和具有适当铝含量的过渡层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种包含具有第一导电型半导体基片的半导体本体的发光半导体二极管，在所述半导体基片上至少依次存在第一导电型的第一涂层、活性层、以及第二导电型的第二涂层，所述涂层含有磷化铟铝镓(InAlGaP)以及活性层含有磷化铟镓(InGaP)或磷化铟铝镓(InAlGap)作为半导体材料，每种半导体材料包含具有两个亚晶格的混合晶体，其中一个亚晶格上存在磷原子，而在另一个亚晶格上存在另一元素的原子，并且第一导电型的过渡层配置在基片与第一涂层之间，其特征在于：过渡层含有其铝含量至少为属于活性层带隙的最小值的砷化铝镓(AlGaAs)。
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