[发明专利]工作状态下半导体激光器中电场分布的测量方法及装置

摘要

连续波电光检测技术测量半导体激光器场分布的方法及装置方法特征是探测激光垂直解理面透射处于工作状态的被测半导体激光器，其本身发出的激光经分离和/或滤去；装置特征是半导体激光器与检偏器间增设显微镜系统、分光和/或滤光装置，给半导体激光器设置可调偏置电流源。该装置可直接测量半导体激光器的场分布，确定其载流子限制、电流扩展特性，为设计和制作提供依据和监控。优点是非破坏无干扰，分辨率和灵敏度高。

主权项

1.在工作状态下半导体激光器中电场分布的测量方法，其特征在于将激射波长大于被测半导体激光器激射波长的探测激光，经准直后被聚焦在处于工作状态的，被测半导体激光器芯片解理面上垂直透射通过，其方向与被测半导体激光器芯片中电场方向正交，被测半导体激光器本身发出的激光经分离和/或滤去，把通过半导体激光器芯片中电场调制的，探测激光偏振的变化转变为激光强度的变化，再由光电探测器变成电信号，输入锁相放大器读出；让探测激光束在被测半导体激光器芯片解理面上，沿X轴和Z轴方向扫描，用红外摄像仪监控探测激光在芯片上的扫描测量位置，就获得了被测半导体激光器芯片中电场在横断面上的分布。