[发明专利]工作状态下半导体激光器中电场分布的测量方法及装置

权利要求书

1、在工作状态下半导体激光器中电场分布的测量方法，其特征在于将激射波长大于被测半导体激光器激射波长的探测激光，经准直后被聚焦在处于工作状态的，被测半导体激光器芯片解理面上垂直透射通过，其方向与被测半导体激光器芯片中电场方向正交，被测半导体激光器本身发出的激光经分离和/或滤去，把通过半导体激光器芯片中电场调制的，探测激光偏振的变化转变为激光强度的变化，再由光电探测器变成电信号，输入锁相放大器读出；让探测激光束在被测半导体激光器芯片解理面上，沿X轴和Z轴方向扫描，用红外摄像仪监控探测激光在芯片上的扫描测量位置，就获得了被测半导体激光器芯片中电场在横断面上的分布。

2、使用权利要求1所述方法而专门设计的测量装置，其中包括激光器[1]、准直物镜[2]、1/4波片[4]、聚焦物镜[5]、被测样品、检偏器[11]、光电探测器[13]、锁相放大器[14]、红外摄像仪[16]，其特征在于所述被测样品是工作状态下的半导体激光器[6]，在其与检偏器[11]之间增设了一个显微镜系统[7]、一个分光和/或滤光装置[8]，给被测半导体激光器[6]设置了一个含有正向直流偏置和低频交流偏置使其达到阈值之上的，以及使上述低频交流偏置信号同时分路供给锁相放大器[14]的可调偏置电流源[15]。

3、根据权利要求2所述的测量装置，其特征在于检偏器[11]与光电探测器[13]之间可以增设一个聚焦物镜[12]。

4、根据权利要求2或3所述的测量装置，其特征在于准直物镜[2]与1/4波片[4]之间可以增设一个偏振器[3]，使检偏器[11]的偏振方向与其偏振方向正交。

5、根据权利要求2或3所述的测量装置，其特征在于可调偏置电流源[15]是由音频信号产生电路[21]、双向限幅电路[22]、电压放大电路[23]、缓冲放大电路[24]及驱动电路[25]组成。

6、根据权利要求4所述的测量装置，其特征在于可调偏置电流源[15]是由音频信号产生电路[21]、双向限幅电路[22]、电压放大电路[23]、缓冲放大电路[24]及驱动电路[25]组成。

7、根据权利要求2或3或6所述的测量装置，其特征在于分光和/或滤光装置[8]和检偏器[11]之间可以设置一个使探测激光[20]分出射向光功率计[10]的分束器[9]。

8、根据权利要求4所述的测量装置，其特征在于分光和/或滤光装置[8]和检偏器[11]之间可以设置一个使探测激光[20]分出射向光功率计[10]的分束器[9]。

9、根据权利要求5所述的测量装置，其特征在于分光和/或滤光装置[8]和检偏器[11]之间可以设置一个使探测激光[20]分出射向光功率计[10]的分束器[9]。

10、根据权利要求2或3或6或8或9所述的测量装置，其特征在于1/4波片[4]也可以设置在分束器[9]与检偏器[11]之间。