[发明专利]高效去污增光保护剂无效

专利信息
申请号: 89108290.5 申请日: 1989-11-06
公开(公告)号: CN1051577A 公开(公告)日: 1991-05-22
发明(设计)人: 宋美英 申请(专利权)人: 顺义县北务农工商联合总公司
主分类号: C09G1/04 分类号: C09G1/04
代理公司: 三友专利事务所 代理人: 卢启文
地址: 101300 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种高效去污增光保护剂,由三乙醇胺、油酸、白油、硅藻土及水等组成,为白色乳液,用于对漆膜、电镀膜等表面去污、增光及保护,可用于高级轿车、摩托车、自行车及各种家用电器表面去污、增光、保护。本去污增光剂用于代替石蜡对汽车表面进行清洁上光,可节省大量水源和石蜡资源,并且省工省时,同时具有防锈、防冻、无腐蚀、无污染、不吸尘等优点。
搜索关键词: 高效 去污 增光 保护
【主权项】:
1、一种去污增光保护剂,其特征是:由三乙醇胺45--65份,油酸0.3--1.0份,白油15--30份,硅藻土0.1-0.3份混合而成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于顺义县北务农工商联合总公司,未经顺义县北务农工商联合总公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/89108290.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 一种单晶硅助抛光添加剂及其应用-202310317891.2
  • 张鹏伟;李侠;冯萍萍;殷政;侯敏敏 - 西安蓝桥新能源科技有限公司
  • 2023-03-28 - 2023-09-12 - C09G1/04
  • 本发明提供了一种单晶硅助抛光添加剂,以质量比计,添加剂包括以下组分:促同向腐蚀剂0.5%‑3.0%、消泡剂1.0%‑5.0%、清洗剂0.5%‑2.0%、非离子表面活性剂1.0%‑6.0%、余量为去离子水。进一步地,本发明还提供了上述添加剂在单晶硅粗抛光反应中的应用,即将该添加剂与碱溶液混合作为单晶硅片粗抛光的反应液。本发明所提供的添加剂应用于单晶硅粗抛光反应,能有效控制反应速率,有助于促使反应过程中生成的H2迅速从硅片表面脱离,得到更加平整、均匀、高效率的太阳能电池片。
  • 一种表面改性稀土抛光粉制备工艺-202310361666.9
  • 许鹏 - 许鹏
  • 2023-04-06 - 2023-07-28 - C09G1/04
  • 本发明公开了一种表面改性稀土抛光粉制备工艺,包括以下步骤:1)将氟氧化物加分散剂进行混料过筛,再用气流磨粉碎;2)将粉碎后的混料进行射流分级;3)加入了湿润剂、分散剂进行混料;4)用除铁器除去混料中铁磁性杂质清除后,即可制得表面改性稀土抛光粉。表面改性稀土抛光粉加水稀释可形成稳定并能够抛光使用的悬浮液;成品便于贮存、运输;生产技术简单、设备配套成熟,生产成本低。
  • 一种2系铝合金的无烟化学抛光液及其抛光工艺-202310338161.0
  • 彭泽清 - 包头钢铁(集团)有限责任公司
  • 2023-03-31 - 2023-07-18 - C09G1/04
  • 本发明公开了一种2系铝合金的无烟化学抛光液,包括两酸+添加剂,所述两酸为磷酸和硫酸,所述添加剂包括铝粉、氧化剂、光亮剂、大分子有机化合物、有机溶剂、无机化合物;具体配比为每升抛光液含磷酸:硫酸体积比为2~2.5:1,铝粉4‑8克/升,氧化剂6‑10克/升,光亮剂4‑6克/升,大分子有机化合物0.1‑0.3克/升,有机溶剂1.5‑4.5克/升,无机化合物0.5‑0.8克/升。还公布了抛光工艺。本发明很好地解决了两酸化学抛光适用材料范围窄和光亮度低的问题,其抛光亮度可以达到甚至超过三酸化学抛光,也不存在严重的点蚀;也解决了常规三酸化学抛光带来的环境污染和威胁人体健康的问题,实现了氮氧化物的零排放。
  • 一种可适用多产品的保养液制备方法-202310205313.X
  • 苏维滨 - 广东禄城精密门窗制造有限公司
  • 2023-03-06 - 2023-05-12 - C09G1/04
  • 本发明公开了一种可适用多产品的保养液制备方法,将乳化硅油、甘油、卡松、水依次放入到容器内部;然后将乳化硅油、甘油、卡松、水在容器内部进行充分搅拌;当完全溶解后便可灌装,由下列质量份数的原料制成:乳化硅油8.6斤、甘油8.6斤、卡松5.8斤、水93.8斤,依靠乳化硅油达到上光、增亮的效果;依靠甘油达到保湿的效果;依靠卡松达到延长保质期的效果。
  • 一种高反射率晶体硅碱抛光添加剂及其使用方法-202211595100.4
  • 武圆圆;周浩;常帅锋;李斯良;丁雁鸿 - 嘉兴市小辰光伏科技有限公司
  • 2022-12-12 - 2023-04-18 - C09G1/04
  • 本发明公开了一种高反射率晶体硅碱抛光添加剂及其使用方法,由以下质量百分比的原料组成:促进剂0.1%~5%,络合剂0.1%~2%,脱泡剂0.05%~1%,缓蚀剂0.1%~2%,pH调节剂0.1%~6%,余量为去离子水。取适量碱抛光添加剂加入碱性溶液中,混合均匀后配成抛光液,放入硅片完成抛光反应。本发明提供的一种高反射率晶体硅碱抛光添加剂及其使用方法,采用碱性抛光技术,工艺稳定性更好,降低酸的消耗及排放,反应产生的污染较少,成本低廉。
  • 一种链式碱抛光工艺添加剂及其应用-202211474689.2
  • 武圆圆;周浩;常帅锋;李斯良;丁雁鸿 - 嘉兴市小辰光伏科技有限公司
  • 2022-11-23 - 2023-03-21 - C09G1/04
  • 本发明公开了一种链式碱抛光工艺添加剂及其应用,包括促进剂0.1%~6%、络合剂0.1%~2%、润湿剂0.1%~2%、脱泡剂0.05%~1%、pH调节剂0.1%~3%以及去离子水,混合均匀成添加剂,加入到碱性溶液中,混合均匀后配成抛光液,将硅片放入抛光液中完成抛光反应,依靠分解易产生自由基的物质作为促进剂,使添加剂加快了无机碱与硅的反应,增强了抛光液的抛光能力,可以得到更高的反射率和更大的塔基,进而提升效率。
  • 碳化硅晶片抛光清洗用的螯合性表面活性剂及其应用方法-202211196433.X
  • 彭付贵;谢喜明;李敬三;高利鸣 - 湖南皓志科技股份有限公司
  • 2022-09-29 - 2022-12-23 - C09G1/04
  • 本发明公开的碳化硅晶片抛光清洗用的螯合性表面活性剂及其应用方法,涉及第三代半导体抛光技术领域;所述螯合性表面活性剂为N2十二烷基乙二胺三乙酸盐,其抛光方法的步骤是:㈠、晶片入机;㈡、混合抛光液调配;㈢、pH值调节;㈣、抛光;其清洗方法的步骤是:㈠、晶片入槽;㈡、混合清洗剂调配;㈢、清洗;具有使用范围广、能有效去除碳化硅基材表面的金属离子、有效提高加工产品的速率和表面质量、提高抛光液的质量和清洗效率等特点,适用于碳化硅晶片的抛光和清洗。
  • 一种小塔基硅片碱抛光辅助剂及其应用-202111298362.X
  • 张新鹏;张鹏伟;冯萍;李侠;殷政 - 西安蓝桥新能源科技有限公司
  • 2021-11-04 - 2022-12-20 - C09G1/04
  • 本发明属于晶硅抛光技术领域。一种小塔基硅片碱抛光辅助剂,包括辅助剂A和辅助剂B;所述辅助剂A包括按质量百分比计算的以下组分:硅烷偶联剂0.1‑0.5%、乙醇2‑5%、明胶0.05‑0.2%、正丁醇1‑3%、十二烷基苯磺酸钠0.05‑0.2%、全氟烷基聚氧乙烯醚0.01‑0.05%,余量为去离子水;所述辅助剂B包括按质量百分比计算的以下组分:硅烷偶联剂0.5‑1%、烷基三甲基溴化铵0.1‑0.4%、全氟烷基聚氧乙烯醚0.01‑0.1%、乙醇2‑5%、过硫酸铵1‑3%,余量为去离子水。本发明碱抛光辅助剂可在碱抛光过程中有效保护非抛光面不被腐蚀,抛光面碱蚀量可控,抛光后的硅片金字塔塔基尺寸小,表面均匀、平整度高。
  • 一种电解铜箔阴极钛辊用新型抛光液的使用方法-202211144236.3
  • 付争兵;李娟;李俊涛;陈星;陈剑明;李照波;章园 - 江西鑫铂瑞科技有限公司
  • 2022-09-20 - 2022-12-09 - C09G1/04
  • 本发明提供一种电解铜箔阴极钛辊用新型抛光液及其使用方法,所述新型抛光液的配方如下:有机酸30‑80g/L;阴离子表面活性剂0.5‑1g/L;无机盐0.05‑0.1g/L;所述有机酸为柠檬酸或草酸,所述阴离子表面活性剂为磺酸盐或硫酸酯盐,所述无机盐为铬酸盐;本抛光液的使用方法为:将阴极钛辊表面机械抛磨后,放置于抛光液槽中,在室温下旋转浸泡至Ra在0.20μm左右停止浸泡。通过本发明的新型抛光液,可实现阴极辊的镜面抛光,保证阴极辊表面粗糙度、电流密度分布的均匀性,降低电解液对阴极辊的腐蚀作用,提升阴极钛辊的使用时间,提高铜箔生产效率,制备的铜箔可满足极薄锂电铜箔的要求。
  • 一种用于车辆上的密封上光剂及其制备方法-202210637189.X
  • 于增元;王磊;高全波;李营;孙宗豹 - 固安金标科技有限公司
  • 2022-06-08 - 2022-10-18 - C09G1/04
  • 本发明属于车辆用上光剂技术领域,公开了一种用于车辆上的密封上光剂及其制备方法,其中密封上光剂包括如下质量百分含量的组分:二椰油烷基二甲基氯化铵6~8%;PH调节剂0~0.1%;杀菌剂0~0.15%;柠檬香精0~0.1%;水,余量;以上组分的质量百分含量之和为100%;综上可知,本发明所提供的密封上光剂用于漆面清洁后的密封驱水和上光;具体采用生物降解型配方,三位一体的直接中和表面活性剂与水蜡,以此使得废水可直接排出、不会污染环境;并且配方中不含硅酮树脂,上光效果好、不影响玻璃透明度。
  • 硬质材料的无硬质研磨粒子抛光-201880046086.8
  • R·K·辛格;A·C·阿尔俊安;D·辛格;C·金德;P·贾瓦利 - 恩特格里斯公司;佛罗里达大学研究基金会公司
  • 2018-07-10 - 2022-07-29 - C09G1/04
  • 本发明提供一种CMP方法,其包含提供浆料溶液,所述浆料溶液包含≥1种浓度在0.01M与2M之间的过化合物氧化剂;以及1到5或8到11的pH值;和≥1种缓冲剂,其提供≥1.5的缓冲比,所述缓冲比是将pH值从9.0降低到3.0所需的强酸量与在无缓冲剂的情况下将pH值从9.0改变成3.0的强酸量的比较。所述浆料溶液不包含任何硬质浆料粒子或仅具有软质浆料粒子,所述软质浆料粒子的整体维氏硬度300Kg/mm2或莫氏硬度4。将所述浆料溶液施配于维氏硬度1,000kg/mm2的硬质表面上,用抛光垫按压,其中所述浆料溶液位于中间,同时相对于所述硬质表面旋转所述抛光垫。
  • 一种单晶硅片背抛光用添加剂及其应用-202210238348.9
  • 马洁;许秀典;章圆圆;陈培良 - 常州时创能源股份有限公司
  • 2022-03-10 - 2022-06-17 - C09G1/04
  • 本发明公开了一种单晶硅片背抛光用添加剂,其各组分的质量百分含量为:聚丙烯酰胺0.1%~0.5%,聚乙二醇0.05%~0.1%,聚乙烯亚胺0.1%~0.5%,羟乙基淀粉0.1%~0.5%,苯甲酸钠0.1%~0.3%,余量为去离子水。在单晶硅片背抛光的碱抛光液中添加本发明的添加剂,可在抛光过程中保护硅片正面PN结不被破坏,还能控制抛光后硅片背面的平整度和反射率。本发明抛光得到具有相对粗糙的小尺寸绒面的背面,利于背面浆料接触,避免或大大减少印刷时出现断栅的现象,提高电池转换效率。
  • 一种基于蓝宝石研磨的环境友好型悬浮剂、其制备方法及用途-202111429844.4
  • 侯军;单晓倩 - 浙江奥首材料科技有限公司
  • 2021-11-29 - 2022-06-14 - C09G1/04
  • 本发明提供一种基于蓝宝石研磨的环境友好型悬浮剂、其制备方法及用途。本发明基于蓝宝石研磨的环境友好型悬浮剂包括质量份如下的各组分:增稠剂0.5‑2.5份;螯合剂单体3‑15份;螯合促进剂5‑15份;分散剂2‑8份;表面活性剂0.1‑1份;消泡剂0.1‑1份;防锈剂0.1‑1份;pH调节剂3‑20份;超纯水30‑50份。本发明还公开了基于蓝宝石研磨的环境友好型悬浮剂的制备方法。本发明基于蓝宝石研磨的环境友好型悬浮剂具有悬浮性高、稳定性好的特性,其配方中涉及到的原材料均为环境友好型物质;采用本发明悬浮剂对蓝宝石晶片进行研磨,能显著提高蓝宝石晶片的移除率、增加表面平整度和大幅度降低表面粗糙度。
  • 一种晶体硅碱抛光添加剂及使用方法-202110374139.2
  • 华永云;杜雪峰 - 云南合义德新材料有限公司
  • 2021-04-07 - 2021-07-16 - C09G1/04
  • 本发明涉及晶体硅技术领域,且公开了一种晶体硅碱抛光添加剂,包括以下成分:冠醚;柠檬酸;聚季铵盐;乙二胺四乙酸二钠;硅烷偶联剂;十二烷基氨基丙酰胺;苯甲酸钠;去离子水。本发明以碱抛光工艺为基础,在氢氧化钾或氢氧化钠等无机碱溶液中加入本发明的添加剂配成抛光液,抛光时添加剂使无机碱与硅、氧化硅的反应呈现出极强的选择性,即添加剂促进无机碱与硅的反应,而抑制无机碱与氧化硅的反应。将本发明用于晶体硅太阳能电池生产的抛光工艺中,硅片背面反射率高,正面PN结保持完好,包括激光SE处理的电极位置PN结也保持完好。
  • 全合成型的水基抛光液-202110217749.1
  • 刘江 - 重庆勃润防锈技术有限公司
  • 2021-02-26 - 2021-07-13 - C09G1/04
  • 全合成型的水基抛光液,采用的抛光液以100重量份为基础,其中包括,30‑50重量份的去离子水;5‑10重量份的防锈成分;10‑20重量份的润滑成分;0‑25重量份润湿剂;1‑5重量份的防腐成分;1‑5重量份助洗成分。解决了如下:第一、水性产品不可燃烧,解决了着火的安全隐患。第二、车间环境变得非常友好。第三、后续清洗成本降低。采用了独特表面活性剂,让产品清洗润湿性达到最佳,且能够保证最低的泡沫甚至达到几乎无泡,从而保证细微磨屑能够快速被清理防止磨屑划伤抛光面,也可以有效防止对细微的砂带导致堵孔从而出现无法抛光的情况。
  • 一种喷射型水性表板蜡及其制造方法-202110402886.2
  • 罗佳盛;钱云焕 - 浙江钱锦气雾剂制品有限公司
  • 2021-04-14 - 2021-07-13 - C09G1/04
  • 本发明公开了一种喷射型水性表板蜡及其制造方法,属于表板蜡制备技术领域,包括以下步骤:S1:称重配比,称取15%溶剂A、15%的水溶性硅油B、0.5%的增溶剂C、0.1%的抗氧剂D、1%的遮味剂F放入反应釜内;S2:搅拌加热,将步骤S1中的配比完成的物料进行搅拌,且搅拌的时间为15min,且在物料进行搅拌时将温度加热至50℃;S3:冷却降温,待步骤S2中的物料完成搅拌后,将温度由50℃冷却至30‑40;S4:二次加料;S5:二次搅拌;S6:报检过滤;S7:灌装充装,其中,本发明通过将各种物料以不同的配比方式组合,使得本发明能够极大地降低表面蜡制备过程中挥发性有机化合物的排放,从而能够有效地避免环境文然,且本发明的制造方法工艺简单,操作方便。
  • 一种用于KDP晶体的抛光液及其制备方法、应用-201910645289.5
  • 董会;潘金龙;郭亮龙;黄姝珂;王超;王利利;李晓媛;叶敏恒 - 中国工程物理研究院机械制造工艺研究所
  • 2019-07-17 - 2021-06-04 - C09G1/04
  • 本发明公开了一种用于KDP晶体的抛光液及其制备方法、应用,所述抛光液由以下体积百分比组分组成:极性相:1~10%;非极性相:30%~55%;余量为双溶剂相。本发明的抛光液制备方法简单、性质稳定,在较低的抛光压力下(1~2.5kPa)即可实现飞切刀纹的有效去除,避免了较高的抛光压力可能带来亚表面损伤等问题,且抛光后表面粗糙度得到一定程度的改善。抛光液成分为常用有机试剂且不与KDP发生化学反应,抛光液不使用两亲性表面活性剂,抛光后只需要采用抛光液的组分之一(双溶剂相)进行简单的表面冲洗,即可实现表面清洁,不会在表面产生任何的杂质残留。
  • 一种SiC单晶片精抛用水基抛光液及其制备方法-201910001859.7
  • 王瑞;梁庆瑞;王含冠 - 山东天岳先进科技股份有限公司
  • 2019-01-02 - 2021-04-16 - C09G1/04
  • 一种SiC单晶片精抛用水基抛光液及其制备方法,将初始抛光液进行预处理至满足第一条件,将预处理后的初始抛光液除杂后得到水基抛光液,所述预处理的方法包括:将初始抛光液置于抛光装置中对SiC单晶片或与SiC单晶片硬度相同的材料进行粗抛处理。本申请通过对抛光液进行粗抛预处理后得到的水基抛光液对SiC单晶片进行精抛的效果达到最佳状态;通过本申请制备的水基抛光液对SiC单晶片精抛后,可以明显降低SiC单晶片表面的损伤和划痕,获得高质量的SiC单晶片。
  • 用于移除硅氮化物的化学机械抛光组合物-201680008583.X
  • 黄宏聪;叶铭智;蔡智斌 - 嘉柏微电子材料股份公司
  • 2016-01-26 - 2021-03-09 - C09G1/04
  • 本发明提供化学机械抛光组合物,其包含:(a)胶态硅石颗粒,其经选自Mg、Ca、Al、B、Be以及它们的组合的金属离子进行表面改性,且其中所述胶态硅石颗粒的表面羟基密度为每平方纳米所述颗粒的表面积约1.5个羟基至约8个羟基;(b)阴离子型表面活性剂;(c)缓冲剂;以及(d)水,其中,该抛光组合物的pH为约2至约7,且其中,该抛光组合物基本上不含氧化金属的氧化剂。本发明进一步提供使用本发明化学机械抛光组合物对基板进行化学机械抛光的方法。典型地,该基板含有硅氮化物、硅氧化物和/或多晶硅。
  • 一种上光护理乳液及其制备方法-201910748026.7
  • 何佳兴;尹齐和;张耀东;刘亚军 - 广州超威生物科技有限公司
  • 2019-08-14 - 2020-12-29 - C09G1/04
  • 本发明公开了一种上光护理乳液及其制备方法,涉及上光护理剂技术领域。所述上光护理乳液,含有以下质量百分比成分:液体上光剂10‑25%,乳化剂0.5‑5%,螯合剂0.01‑0.15%;所述乳化剂由聚甘油‑2异硬脂酸酯、液态的C10‑13异构醇聚氧乙烯醚、油酸和三乙醇胺复配而成,聚甘油‑2异硬脂酸酯、液态的C10‑13异构醇聚氧乙烯醚、油酸、三乙醇胺的质量比为1‑22.5:1.5‑25:1‑5:0.5‑2.5。本发明的上光护理乳液成分在室温下为液态,解决了固体原料因涂抹不均匀而导致涂抹面出现结团或留痕的问题,此外,本发明的上光护理乳液常温制备过程无需加热和冷却,工艺简单,能耗低。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top