[其他]一种离子轰击减薄装置无效
| 申请号： | 88206944 | 申请日： | 1988-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN88206944U | 公开（公告）日： | 1988-12-28 |
| 发明（设计）人： | 王凤莲;褚一鸣;陆珉华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 中国科学院专利事务所 | 代理人： | 卢纪 |
| 地址： | 北京市9*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种新的离子轰击减薄装置，它既可以选用氩离子束流轰击样品，又可以选用碘离子束流轰击样品，设在样品室两侧的碘蒸气升华腔为形成碘离子束提供碘蒸气流。利用这种装置能够制备更多种材料的薄膜样品，满足透射电子显微镜的观测需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 轰击 装置 | ||
【主权项】：
1、一种供制备透射电子显微镜观测样品用的离子轰击减薄装置，其特征为，在所设样品室两侧各接一个气流选通阀，选通阀的一个气流选择通道连通样品室与设在两侧的氩气入口，它的另一选择通道连通样品室与设在两侧的碘蒸气升华腔。
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