[其他]一种离子轰击减薄装置

说明书

本实用新型涉及一种供制备透射电子显微镜观测样品用的离子轰击减薄装置。

现有供制备透射电子显微镜观测样品用的离子轰击减薄装置只能采用唯一的氩离子轰击，如图1所示，它在进行离子轰击的样品室（6）两侧分别引入氩气，经由高压阳极（2）与电离室（3）离化加速成高能氩离子束流（5）通过高压阴极孔（4）后轰击样品（7）两侧的表面。但是，由于有一部分材料，特别是化合物材料，如砷化镓、磷化铟、铟镓砷磷、铟镓砷锑等等，它们很难通过氩离子轰击的方法获得平整清洁的优质薄膜表面。而要制备这些材料的样品，则需要改用碘离子轰击的方法。因而现有单一离子源轰击减薄装置的主要缺陷在于它的适应范围具有明显的局限性。

为了克服现有技术的上述缺陷，本实用新型设计了一种可以产生碘气体的发生器从而可以方便地选用氩离子轰击或碘离子轰击的离子轰击减薄装置，扩大了现有技术的适用范围。

图2是本实用新型离子轰击减薄装置的结构示意图。在该装置样品室（16）两侧各设一个气体源选通阀（19）。当选用氩离子轰击时，调节选通阀使样品室与氩气入口（11）相通；选用碘离子轰击时，先接通恒温室（22）电源，使其达到予定温度后，再调节选通阀使样品室与恒温室内的碘蒸气升华腔（20）相通。样品室（16）两侧的碘蒸气升华腔及其通向样品室的碘蒸气通道均设在恒温室内，并能得到均匀温度控制。恒温室的控制温度可以在室温～25℃至60℃的范围内进行调节。

附图说明

图1为现有单一氩离子源的离子轰击减薄装置结构示意图。其中1为氩气入口，2为高压阳极，3为电离室，4为高压阴极，5为氩离子束，6为样品室，7为样品，8为真空泵接口。

图2是本实用新型可选用氩离子或碘离子的离子轰击减薄装置结构示意图。其中11为氩气入口，19为选通阀，12为高压阳极，13为电离室，14为高压阴极，15为离子束，16为样品室，17为样品，18为真空泵接口，20为碘蒸气升华腔，21为碘蒸气通道，22为恒温室。