[发明专利]高致密氮化硅反应烧结体的制备方法无效
| 申请号： | 88105512.3 | 申请日： | 1988-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN1026314C | 公开（公告）日： | 1994-10-26 |
| 发明（设计）人： | 庄汉锐;李文兰;华道权;邬凤英;符锡仁;严东生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58 |
| 代理公司： | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人： | 潘振苏,聂淑仪 |
| 地址： | 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于氮化硅陶瓷制备方法，它集中反应烧结法、重烧结法及气氛加压法的优点于一体，制备高致密氮化硅陶瓷。首先将硅粉或硅粉与氮化硅粉混合物和添加物混和后制成压块，在压块上涂以Si3N4、BN和SiO2组成的泥浆后，在1100-1500℃于Ar、H2、N2混合气体中氮化，混合气体压力为0.01-30大气压，保温结束后继续升温到1800-2100℃，保温0.5-10小时，炉内压力为5-100大气压。本制备方法具有快速、高致密特点，同时不需要使用高纯超细的硅粉或氮化硅粉末，制品尺寸精度高，加工余量小，适用于复杂形状部件的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 致密 氮化 反应 烧结 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高致密氮化硅反应烧结体的制备方法，首先将硅粉或硅粉与氮化硅粉混合物和添加物混合后制成压块，其特征在于：(1)在压块上涂以Si3N4、BN和SiO2组成的泥浆，BN含量为1-30，SiO2为0.1-10，余量为Si3N4(重量％)；(2)然后于N2、Ar和H2的混合气体中，1100-1500℃保温8-30小时氮化，混合气体压力为0.01-30大气压；(3)保温结束后继续升温到1800-2100℃，保温0.5-10小时，炉内气体压力为5-100大气压；(4)添加物为Y2O3或CeO20.5-20；La2O30.5～25，Al2O30.1～15或(5)添加物为Y2O3或CeO21-25；Al2O30.1～12，SiO20.1～10。
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