[其他]半导体器件无效

专利信息
申请号: 88101587 申请日: 1988-03-25
公开(公告)号: CN88101587A 公开(公告)日: 1988-11-30
发明(设计)人: 彼得·阿尔曼拉德;吉利·德劳希;于尔格·芬格勒;奥托·库恩 申请(专利权)人: BBC勃朗·勃威力有限公司
主分类号: H01L29/60 分类号: H01L29/60;H01L29/74;H01L23/48
代理公司: 中国专利代理有限公司 代理人: 程天正,肖掬昌
地址: 瑞士*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一个半导体器件包括一个半导体基片(1),在其一个主表面(2)上有一个与主电极相接触的区域和一个与控制电极相接触的区域;一个主电极(3)和一个控制电极(4),它们均与半导体基片(1)相接触;以及一个控制电极引出线(7)。主电极(3)具有一个凹槽(5),在该凹槽中设置控制电极(4);一个将该控制电极(4)压在半导体基片(1)上的弹簧(6);及一个分立的绝缘体(8),它将控制电极(4)与主电极(3)互相电绝缘。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
1、一种半导体器件,包括:a)一个半导体基片(1),b)该基片的一主表面(2)上有一个与主电极(3)相接触的区域和一个与控制电极(4)相接触的区域,c)一个与半导体基片(1)相接触的主电极(3)和d)一个与半导体基片(1)相接触的控制电极(4),e)按此布局,主电极(3)具有一个凹槽(5),f)在凹槽之内容纳控制电极(4)和g)一个用以将控制电极(4)压向半导体基片(1)的弹簧(6),h)一个控制电极引出线(7)。其特征在于:i)一个分立的绝缘体(8)将控制电极(4)与主电极(3)相绝缘,k)控制电极(4)可在垂直于主电极(3)的方向上相对于绝缘体(8)位移。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于BBC勃朗·勃威力有限公司,未经BBC勃朗·勃威力有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/88101587/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top