[发明专利]一种除去沉积在化学气相沉积反应器反应室内的不须要的碳产物的方法无效
| 申请号： | 88101465.6 | 申请日： | 1988-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN1016972B | 公开（公告）日： | 1992-06-10 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | C23G5/00 | 分类号： | C23G5/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨丽琴 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及沉积碳膜后对化学气相反应器内壁的清理。当结晶的碳或类似金刚石的碳在反应室内形成时，在反应室内有不希望的沉积物。利用氧气或氧化合物气体而不是利用对反应器内壁有损坏作用的氟或氯化合物气体，通过侵蚀，将粘性的碳沉积除去。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 除去 沉积 化学 反应器 反应 室内 须要 产物 方法 | ||
【主权项】：
1.一种经化学气相沉积反应在基片上完成沉积碳膜以后，为除去该反应器反应室内壁上粘附的碳沉积的侵蚀方法，所述方法的步骤是：抽空所述的反应室；向所述的反应室通入作为侵蚀气体的氧气或氧化合物气体，和向所述的反应室输入电磁能，以产生一种从所述的侵蚀气体中获得的等离子。
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