[其他]半导体器件无效
| 申请号： | 87107402 | 申请日： | 1987-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN87107402A | 公开（公告）日： | 1988-06-22 |
| 发明（设计）人： | 薄田修 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L23/54;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在把铜或铜合金焊接引线(16)压焊到半导体元件(13)的电极压焊区(21)上的半导体器件中，电极压焊区(21)由与半导体元件形成欧姆接触的第一金属层(18)，其硬度足以在引线焊接时不产生变形的第二金属层(19)以及用于焊接铜引线的第三金属层(20)构成，结果抑制了焊接部位电学性能的变化，并在引线焊接时抑制在半导体元件中产生应力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括一半导体元件，在元件上形成的电极压焊区和焊接在电极压焊区上并把电极压焊区与外引线连接起来的铜引线，其特征在于：所述电极压焊区基本由下述金属层构成；在半导体元件上形成的、与半导体元件形成欧姆接触并对半导体元件的功能不产生有害影响的第一金属层；在第一金属层上形成的、硬度足以承受引线压焊工艺步骤中所加压力的第二金属层；在第二金属层上形成的、具有适于焊接铜引线的组分的第三金属层。
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