[其他]半导体器件无效
| 申请号： | 87107402 | 申请日： | 1987-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN87107402A | 公开（公告）日： | 1988-06-22 |
| 发明（设计）人： | 薄田修 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L23/54;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1、一种半导体器件，包括一半导体元件，在元件上形成的电极压焊区和焊接在电极压焊区上并把电极压焊区与外引线连接起来的铜引线，其特征在于：所述电极压焊区基本由下述金属层构成；
在半导体元件上形成的、与半导体元件形成欧姆接触并对半导体元件的功能不产生有害影响的第一金属层；
在第一金属层上形成的、硬度足以承受引线压焊工艺步骤中所加压力的第二金属层；
在第二金属层上形成的、具有适于焊接铜引线的组分的第三金属层。
2、按照权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述第一金属层是由从铝、铝合金、金和金合金所构成的一组金属中选出的一种构成的。
3、按照权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：由铝或铝合金构成的所述第一金属层的厚度为0.1-2.5微米。
4、按照权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：由金或金合金构成的所述第一金属层的厚度为0.2-2.5微米。
5、按照权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述第二金属层是由从钒、钒合金、镍、镍合金、钛、钛合金、钽和钽合金所构成的一组金属中选出的一种构成的。
6、按照权利要求5所述的半导体器件，其特征在于：由钒、钒合金、钽或钽合金构成的所述第二金属层的厚度为0.05-1微米。
7、按照权利要求5所述的半导体器件，其特征在于：由镍或镍合金构成的所述第二金属层的厚度为300-10000埃。
8、按照权利要求5所述的半导体器件，其特征在于：由钛或钛合金构成的所述第二金属层的厚度为300-10000埃。
9、按照权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述第三金属层是由从铝、铝合金、金和金合金构成的一组金属中选出的一种所构成的。
10、按照权利要求9所述的半导体器件，其特征在于：由铝或铝合金构成的所述第三金属层的厚度为0.1-5.0微米。
11、按照权利要求9所述的半导体器件，其特征在于：由金或金合金构成的所述第三金属层的厚度为0.2-2.5微米。
12、按照权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：第一金属层由铝或铝合金构成，厚度为0.5-2.5微米，第二金属层由钒或钒合金构成，厚度为0.1-0.8微米，第三金属层由铝或铝合金构成，厚度为0.5-5.0微米。
13、按照权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：相继蒸发第一至第三金属层，然后借助于刻蚀工艺制出图形而制造出所述电极压焊区。
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