[发明专利]太阳能电池及硅器件化学镀镍方法无效
| 申请号： | 87102147.1 | 申请日： | 1987-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN1013909B | 公开（公告）日： | 1991-09-11 |
| 发明（设计）人： | 何敬文;刘斌;刘雅言;王中纪 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春应用化学研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/308;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国科学院长春专利事务所 | 代理人： | 宋天平,曹桂珍 |
| 地址： | 吉林省长*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 太阳电池及硅器件化学镀镍的方法，本发明屡半导体工艺。以光刻胶直接作为硅片表面的掩蔽涂层，掩模光刻，带胶化学镀镍形成斯需的接触电极取代黑胶掩敷工艺，可一步实现太阳能电池正面栅电池和背电池以及硅器件选择性电极的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 器件 化学 方法 | ||
【主权项】：
1.太阳能电池及硅器件化学镀镍的方法，其特征是先将光刻胶涂敷在经前处理后欲施镀的硅片表面，甩胶，前烘(用电吹风吹干)，掩模光刻，太阳光下爆光，再置于丁酮溶液中显影，在红外灯下烘烤坚膜，然后置于预先配制好的化学镀镍液中施镀，施镀条件为PH值8.5-9.5，温度83-87℃，时间6-8分钟，然后取出硅片置氮气氛中250℃烘烤30分钟。再置于等离子去胶机中除掉光刻胶然后浸锡。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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