[其他]在金属制件上制备硅扩散涂层的方法无效
| 申请号： | 86108935 | 申请日： | 1986-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN86108935A | 公开（公告）日： | 1987-07-29 |
| 发明（设计）人： | 阿莱詹德罗·利奥波多·卡布雷拉;约翰·弗朗西斯·柯纳;罗伯特·阿尔文·朱勒;罗纳德·皮尔兰托乔 | 申请（专利权）人： | 气体产品与化学公司 |
| 主分类号： | C23C10/08 | 分类号： | C23C10/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 罗才希,卢新华 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在金属制件上制备一种硅扩散涂层的方法，其步骤是把金属制件暴露于还原性的气氛中，接着在一种含硅烷为1ppm至100％(体积)其余为氢或氢和惰性气体的混合物的气氛中进行处理。用具有规定露点的氢气作为表面预处理剂及对硅烷的稀释剂。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 制件 制备 扩散 涂层 方法 | ||
【主权项】：
1、在金属表面上制备硅扩散涂层的方法，其步骤包括：a)对该金属进行预处理，方法是在低于1200℃的温度下及在一个对该金属的元素组成为还原性的受控气氛中，把金属加热，以便减少或完全防止在金属的暴露表面上形成一层起隔离作用的涂层；以及b)把该金属在这样一些条件下进行处理，即使金属制件维持在低于1000℃的温度下并处于受控的气氛中，使该气氛含有至少1ppm(体积)的硅烷，其余为氢或氢与惰性气体的混合物，并且这种气氛中的硅烷/氧摩尔比大于2.5，而氧/氢摩尔比小于2×10-4，以此来使硅扩散进入金属制作的表面内。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C10-00 金属材料表面中仅渗入金属元素或硅的固渗
C23C10-02 .被覆材料的预处理
C23C10-04 .局部表面上的扩散处理，例如使用掩蔽物
C23C10-06 .使用气体的
C23C10-18 .使用液体，例如盐浴、悬浮液的
C23C10-28 .使用固体，例如粉末、膏剂的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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C23C10-02 .被覆材料的预处理
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C23C10-06 .使用气体的
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C23C10-28 .使用固体，例如粉末、膏剂的
