[其他]水平结构晶体管及其制作方法无效
| 申请号： | 85108008 | 申请日： | 1985-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN1004594B | 公开（公告）日： | 1989-06-21 |
| 发明（设计）人： | 戴维·B·斯伯特;詹姆斯·D·琼拉瑞;爱尔顿·J·赞雷斯基 | 申请（专利权）人： | 得克萨斯仪器公司 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 上海专利事务所 | 代理人： | 冯晓明 |
| 地址： | 美国得克萨斯州752*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 在被诸如氧化物之类的绝缘体［２２］完全包围的一个薄的外延岛［２４，７０］中制成水平结构晶体管［２０，６８］。该晶体管［２０，６８］具有从同一掩模扩散到岛［２４，７０］中的基极区［３４，８０］和发射极区［２６，８４］，从而使基极［３４，８０］的宽度是可控的并且相对于发射极［２６，８４］来说保持不变。多晶硅基极接触［３６，９６］位于岛［２４，７０］的顶部之上并通过氧化层［９０］与发射极区［２６，８４］和集电极区［２８，８６］相隔离。此水平结构晶体管很容易把互补的双极型晶体管［２０，６８］和互补的ＩＧＦＥＴ器件制作在同一衬底上。 | ||
| 搜索关键词： | 水平 结构 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于得克萨斯仪器公司，未经得克萨斯仪器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/85108008/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
