[其他]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 85106463 | 申请日： | 1985-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN85106463B | 公开（公告）日： | 1987-07-15 |
| 发明（设计）人： | 木山精一;今井秀记 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 刘晖 |
| 地址： | 日本大阪府守*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有很多光电转换区的半导体器件的制造方法，该方法包括下列各步骤准备好一个基片，在上述基片的一侧主表面上连续地形成一层半导体薄膜，再用能量束，例如用激光束，从上述基片的另一侧主表面进行照射，并去除该部位的半导体薄膜，从而把上述半导体薄膜分隔成各个区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：准备一个基片；在上述基片一主表面侧上连续地形成一层半导体薄膜；用能量束照射上述半导体薄膜，并去掉被照射部位上的半导体薄膜，从而把上述半导体薄膜分隔成若干个区域；其特征在于：上述基片为透光基片，上述能量束为激光束，此激光束是从上述基片的另一主表面侧照射的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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