[其他]半导体器件的制造方法

权利要求书

1、一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：

准备一个基片;

在上述基片一主表面侧上连续地形成一层半导体薄膜;

用能量束照射上述半导体薄膜，并去掉被照射部位上的半导体薄膜，从而把上述半导体薄膜分隔成若干个区域;其特征在于：上述基片为透光基片，上述能量束为激光束，此激光束是从上述基片的另一主表面侧照射的。

2、按照权利要求1所述的制造方法，其特征在于：在形成上述半导体薄膜之前，有一个在所述透光基片一主表面侧形成透明电极薄膜并将其分隔成许多区域的步骤，半导体薄膜在上述透光基片的一主表面侧上连续延伸，并覆盖住在形成上述半导体薄膜前所形成的上述各个透明薄膜电极。

3、按照权利要求2所述的制造方法，其特征在于：在分隔半导体薄膜的步骤之后，有一个形成背面电极薄膜的步骤，该薄膜连续地覆盖住各个被分隔了的半导体薄膜部位，以及一个用激光束照射上述背面电极薄膜并去掉该部位上的背面电极薄膜，从而将上述背面电极薄膜分隔成各个区域的步骤，在上述分隔背面电极薄膜的步骤中，所用激光束是从上述透光基片的另一主表面侧照射的。

4、按照权利要求2所述的制造方法，其特征在于：在形成上述半导体薄膜和上述透明薄膜电极的步骤之间，有一个在上述各透明薄膜电极将要外露的地方有选择地形成一绝缘绝热层的步骤，而上述半导体薄膜形成在上述透光基片的一主表面侧，并覆盖住上述透明电极薄膜和上述绝缘绝热层。

5、一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：

准备一透光基片;

在上述透光基片的一主表面侧形成透明电极薄膜并将其分隔成各个区域;

在上述透光基片的一主表面侧连续形成一层半导体薄膜，覆盖住上述各个区域的透明薄膜电极;

在形成上述半导体薄膜之后立即连续形成一层背面电极薄膜，覆盖住上述半导体薄膜;

用激光束照射上述透光基片，去掉被照射部位中的上述半导体薄膜和上述背面电极薄膜，从而将上述半导体薄膜和上述背面电极薄膜分隔成各个区域;其特征在于：上述激光束是从上述透光基片的另一主表面侧照射的。

6、按照权利要求5所述的制造方法，其特征在于：在各个区域中的背面薄膜电极上连续形成一层连接电极薄膜，覆盖住外露的透明薄膜电极;用激光束照射上述连接电极薄膜并去掉被照射部位的连接电极薄膜，从而将上述连接电极薄膜分隔成各个区域，在分隔上述连接电极薄膜的步骤中所用的激光束是从上述透光基片的另一主表面侧进行照射的。

7、按照权利要求1、3、5和6中任一项所述的制造方法，其特征在于：上述激光束的波长从0.30微米到0.820微米的范围内进行选择。

8、按照权利要求7所述的制造方法，其特征在于：选择上述激光束的波长近似为0.53微米。

9、一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：

准备一个透光基片;

在上述透光基片的一主表面侧形成透明薄膜电极，并将其分隔成各个区域;

在上述透光基片的一主表面侧形成一层主要由非晶硅组成的具有光电转换功能的半导体薄膜;

在上述半导体薄膜上形成一层背面电极薄膜;

用激光束照射上述透光基片，并去掉被照射部位的上述半导体薄膜和背面电极薄膜，从而将上述半导体薄膜和上述背面电极薄膜分隔成各个区域;

在上述背面电极薄膜上形成连接电极薄膜;

用激光束照射上述连接电极薄膜，并除去被照射部位中的连接电极薄膜，从而把上述薄膜分隔成各个区域;其特征在于：上述各步中所用的激光束是从上述透光基片的另一主表面侧进行照射的。

10、一种制造线性光敏元件的方法，其特征在于：把半导体薄膜和电极薄膜分隔成各个区域所用的激光束是从上述透光基片的另一主表侧照射的。