[其他]一种掺金硅热敏电阻器及其制造方法无效
| 申请号： | 85102901 | 申请日： | 1985-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN85102901B | 公开（公告）日： | 1988-03-02 |
| 发明（设计）人： | 陶国强;陶明德 | 申请（专利权）人： | 中国科学院新疆物理研究所 |
| 主分类号： | H01C7/04 | 分类号： | H01C7/04 |
| 代理公司： | 中国科学院新疆专利事务所 | 代理人： | 王蔚 |
| 地址： | 新疆维吾尔自治区*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体温度传感器领域。本发明采用氯化金涂层扩散，当金和本底净杂质浓度之比为1～1.5时，形成稳定性好，B值为4000K～6000K，其均匀度优于0.1％的掺金硅热敏材料，利用该材料的双面高阻层做成串联式热敏电阻，经机械调值后，元件在-30～+50℃温区阻值互换精度为0.2％。高温(85℃)存放一年的稳定性优于0.3％。本发明可广泛地应用于工业、农业，尤其是医学、生物工程、化学等多方面的温度测量与控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺金硅 热敏 电阻器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.N型单晶硅中掺金形成敏感体，在敏感体上化学镀镍形成欧姆接触，在镍层上焊接镀银铜线作引出线，并用环氧树脂包封的掺金硅热敏电阻器，其特征在于，敏感体是在N型单晶硅的两面扩散金构成高阻层掺金N型单晶硅片。
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