[实用新型]一种将NMOS作为理想二极管的驱动电路有效
| 申请号： | 202320918414.7 | 申请日： | 2023-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN219740344U | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 崔英杰;邓兴培;孙浩源 | 申请（专利权）人： | 石家庄泽润科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687;H03K17/74 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人： | 郜彦茹 |
| 地址： | 050000 河北省石家*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种将NMOS作为理想二极管的驱动电路，包括作为理想二极管使用的NMOS管以及NMOS管的驱动电路，所述NMOS管的源极作为理想二极管的正端连接电源VCC，NMOS管的漏极作为理想二极管的负端连接负载，电源VCC经NMOS管为负载供电，NMOS管的栅极连接驱动电路使NMOS管工作于理想二极管状态。本实用新型将NMOS作为理想二极管使用，其利用比较器输出进行驱动，可以杜绝负载端电流逆转，保护供电电路及设备，大大提高了可靠性和安全性。比较器供电电源采用方波电路结合电荷泵升压电路实现NMOS管的高边驱动，电路结构简单，性价比高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nmos 作为 理想 二极管 驱动 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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