[实用新型]一种光吸收性能好的单晶硅片有效
申请号: | 202320343893.4 | 申请日: | 2023-02-28 |
公开(公告)号: | CN219610450U | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | 张靖;方艺霖;何飞 | 申请(专利权)人: | 扬州永翔新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/054 | 分类号: | H01L31/054;H01L31/0232;H02S40/22;G02B7/182;G02B1/11 |
代理公司: | 深圳科湾知识产权代理事务所(普通合伙) 44585 | 代理人: | 马垚 |
地址: | 225000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了单晶硅片技术领域的一种光吸收性能好的单晶硅片,包括,单晶硅片本体;防反射结构,所述防反射结构设置在单晶硅片本体上;两组结构相同的固定板,两组所述固定板分别设置在单晶硅片本体的两侧;两组结构相同的反射镜,两组所述反射镜均位于单晶硅片本体的上方;两组结构相同的角度调节组件,通过安装框带动反射器定期旋转,进而使得阳光在照射时尽可能地通过反射镜反射到高清玻璃层上,通过高清玻璃层,方便将光透到防反射层上,防反射层将光射下来,落到单晶硅片本体表面,通过防反射层可以减少光源损失,通过可调角度的反射镜,可以尽量将光反射到单晶硅片本体上,从而大大提高了单晶硅片本体的光吸收性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 光吸收 性能 单晶硅 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的