[实用新型]一种样品台底座、样品台组件及MPCVD设备有效
申请号: | 202320304220.8 | 申请日: | 2023-02-24 |
公开(公告)号: | CN219449869U | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
发明(设计)人: | 黄春林;刘文科;胡宗义;李俊宏;李东亚 | 申请(专利权)人: | 成都沃特塞恩电子技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/511;C23C16/27 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610200 四川省成都市双流区*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型涉及微波等离子体技术领域,具体而言,涉及一种样品台底座、样品台组件及MPCVD设备,所述样品台底座设置有平底盲孔,所述平底盲孔底面设置有第一通孔和第一环形凹槽,所述第一环形凹槽环绕第一通孔设置,所述第一环形凹槽底面均匀设置有多个第二通孔,所述平底盲孔底面与第一通孔的孔壁之间设置有倒角,所述平底盲孔、第一通孔与第一环形凹槽同轴,提供了一种散热结构易于加工、散热效果较好、被散热部位温差较小的样品台底座。 | ||
搜索关键词: | 一种 样品 底座 组件 mpcvd 设备 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的