[发明专利]一种全N型GaN HEMT半桥驱动电路

摘要

本发明公开了一种全N型GaN HEMT半桥驱动电路，涉及GaN HEMT驱动电路领域。包括偏置级电路和驱动级电路；所述偏置级电路包括：与电源连接的滤波电容C1和上拉管M1、上拉管M3、上拉管M6、电阻R3、电阻R5；与驱动级电路连接的自举电容C2和下拉管M4、下拉管M7；所述驱动级电路包括：与电源连接的自举二极管D1和上拉管M9；与输出端相连的自举电容C3及上拉管M9和下拉管M10。本发明通过使用自举升压的方法，提高了输出带负载的能力，实现了全N增强型GaN HEMT半桥驱动电路，来驱动GaN HEMT器件。