[发明专利]一种钴包覆高镍单晶材料及其制备方法在审
申请号: | 202311100141.6 | 申请日: | 2023-08-29 |
公开(公告)号: | CN116936727A | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 付佳莉;徐宁;吕菲;于利梅 | 申请(专利权)人: | 天津巴莫科技有限责任公司 |
主分类号: | H01M4/04 | 分类号: | H01M4/04;H01M4/1391;H01M4/36;H01M4/525;H01M4/38 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 温可睿 |
地址: | 300384 天津市西青*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明提供了一种钴包覆高镍单晶材料及其制备方法,方法包括以下步骤:将钴的化合物与正极材料混合,得到混合料1;将所述混合料1焙烧,得到物料2;将所述物料2与钴的化合物混合,得到混合料3;将所述混合料3焙烧,得到钴包覆高镍单晶材料。该方法通过煅烧使制备的单晶材料由中心至边缘呈不同Co含量,有利于离子的快速扩散,具有较好的倍率性能,在快速充放电方面有很大应用;分布包覆Co的容量高,循环性能优异和高温存储性能优异。实验结果表明:钴包覆高镍单晶材料的比容量达到217.6~220.8mAh/g,循环保持率为96.85~97.84%。 | ||
搜索关键词: | 一种 钴包覆高镍单晶 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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